25aYL-6 酸化バナジウムの分子動力学計算機実験

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-09-03

著者

• 千葉 秀幸

  岩手大工

• 西館 数芽

  岩手大工

• 馬場 守

  岩手大工

• 進藤 浩一

  岩手大人社

• 西川 清

  金沢大理

• 佐藤 孜

  弘前大理工

• 熊谷 直昭

  岩手大工

• 西川 清

  金大理

• 熊谷 直昭

  Faculty Of Engineering Iwate University

• 馬場 守

  岩手大 工

• 西川 清

  金沢大学理学部計算科学科

• 西舘 数芽

  岩手大学工学部電気電子工学科

• 西川 清

  宮崎医科大学 放射線

• 西川 清

  金沢大

関連論文

• 24aYN-3 変形に対する単層カーボンナノチューブの安定性(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYK-11 カーボンナノチューブのフォノンスペクトルの強束縛近似分子動力学計算
• 30p-E-18 Rhombohedral AsのSOR角度分解光電子分光
• ペンタセン機能性有機薄膜の電気的特性
• ペンタセン有機薄膜の作製とキャラクタリゼーション
• 12pYC-7 Li をドープしたカーボンナノチューブの第一原理電子状態計算(量子細線, 領域 4)
• 26pV-5 3次元系における多粒子系ランダムウオークセルオートマトンモデル
• 15pWF-5 グラファイトの層間相互作用 : 第一原理計算と経験的方法(グラファイト, 領域 7)
• 25aYL-6 酸化バナジウムの分子動力学計算機実験
• p形CdS : Cu膜の評価と発光ダイオードへの応用
• 25aYH-1 ZnO上のMgB_2 : 第一原理電子構造解析(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aXF-6 グラファイト層間相互作用の第一原理計算とその限界
• 31a-YT-5 高圧下におけるGaのバンド構造
• 27a-Y-6 Si(100)上のC_2次元三角格子結晶の電子状態の混合基底法による第一原理計算
• 14a-S-13 角度分解紫外光電子分光法によるrhombohedral Asの電子構造の研究I
• 26aWS-2 Rh(111)面におけるNO分子の反応性 : 第一原理電子構造計算(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29p-ZE-9 黒リンの新しい圧力誘起相転移
• 2p-D-15 黒リン単結晶のホール効果とその異常
• 31a-W-2 高圧下の黒リンII : 格子振動
• 31a-W-1 高圧下の黒リン : I. 結晶構造と凝集エネルギー
• 31a-Z-6 黒リンにおける二次元アンダーソン局在と異常磁気抵抗効果
• 5a-C-14 黒リンにおけるアンダーソン局在
• 時間相関単一光子計数法と蛍光の減衰時間の測定
• 6a-A2-19 黒リン薄膜結晶の光吸収特性
• 1a-A-3 NaBr:S^におけるthermoluminescence過程
• フォトンカウンティング法による極微弱光の測定--サ-モルミネセンス測定への応用
• 30a-S-10 NaCl型金属InSbの電子構造と安定性
• 23pXA-8 ZnOの極性面に吸着されたMgおよびB原子の電子構造(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 12aYB-10 欠陥を含む Wurtzite 型 GaN の第一原理電子状態計算(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 12aYB-9 欠陥を含む Wurtzite 型 ZnO の第一原理電子状態計算(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 31pZH-7 NaCl 結晶中の Mn^ イオンの蛍光励起スペクトルにおける微細構造
• 31pZH-6 ハロゲン化カリウム結晶中の O_2^- および S_2^- 分子イオンによるバイブロニック発光
• 23pXD-13 Mnを拡散したKCl-,KB_r-及びKI-S^結晶の紫外線照射によるS_2^-分子イオンの生成
• 2a-B-11 Cs_3Sbの化学結合の性質
• 21pPSA-8 ロジウム面上の窒素酸化物分子(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-43 Rh(111)面におけるNO分子 : 第一原理電子構造計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27a-J-7 高圧下におけるInのバンド構造
• 高圧下におけるSの電子構造
• 13p-A-8 高圧下におけるSeのバンド構造II
• 30a-X-6 高圧下におけるSeのバンド構造
• 25p-T-2 高圧下におけるSeの状態方程式
• 28p-ZP-3 高圧下におけるTeの状態方程式
• 29p-ZE-8 高圧下におけるTeの電子状態
• 28p-B-12 圧力下でのV族元素の構造安定性
• 3a-F-2 Cs_3 Sbの電子構造と化学結合
• 3a-F-1 CsIの電荷分布の圧力依存性
• 29pPSB-32 ZnO表面のナノ構造に関する理論的研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pXA-9 ZnOの極性面に吸着された金属原子の第一原理電子構造計算(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTD-1 MgB_2薄膜の生成ダイナミクスと界面構造についての理論的研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-97 ZnO面へのMg/B原子の吸着 : 第一原理計算による表面ダイナミクスの研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pZB-14 C_ 固体の分子間相互作用と規則-不規則配向相転移
• 25pXA-8 圧力下におけるC_固体の状態方程式と規則-不規則配向相転移 : モンテカルロ法による計算
• 4p-C-14 交通量モデルにおける層流状態から乱流状態への相転移
• 2p-C-10 山火事モデルにおける自己組織化臨界現象と生態学的バランス
• 29a-G-3 全閉管型ビスマスフラックス法による黒リン単結晶の作成
• 26pU-7 階層構造をもつパターンの連想記憶と反学習効果II : SN比の解析
• 30p-PSA-48 階層構造をもつパターンの連想記憶と反学習効果
• 二次元±Jイジングスピングラスの絶対零度でのオーダーパラメーラー分布関数
• 29a-D-8 二次元サイトランダムイジングモデルのスピングラス相転移
• 遷移金属酸化物薄膜の表面改質と半導体リソグラフィへの応用
• 28a-E-1 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 II
• 3p-AB-1 擬ポテンシャル展開法によるリン(P)の圧力転移
• 19aXA-8 カーボンナノチューブへのリチウム原子のインターカレーション(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYN-4 欠陥のあるカーボンナノチューブへのリチウムイオンの吸着 : 第一原理電子構造計算(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
• 12aYB-11 欠陥を含む Wurtzite 型 CdS の第一原理電子構造計算(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
• 29aZB-2 Li をドープしたカーボンナノチューブの第一原理電子構造計算
• 27pWB-1 カーボンナノチューブの第一原理電子状態計算
• 分子動力学法 : 古典から第1原理へ
• 24pYE-6 カーボンナノチューブの圧力制御Tight-binding MoleCular Dynamics
• 投稿論文 Mathematica による分子表示パッケージの開発
• Mesaによる電荷密度分布表示プログラム
• 2接触線の高周波通電に於ける近接抵抗に関する自由電子論的考察
• 2接触線の同方向高周波通電に於ける近接抵抗の研究
• 2接触線の高周波通電に於ける近接抵抗に関する自由電子論的考察(2)
• 2接触線の高周波通電に於ける近接抵抗に関する自由電子論的考察(1)
• 31a-C-10 2成分混合物における相の秩序化:アルゴリズムからのアプローチ
• 28p-YN-8 KCl結晶におけるMn^-Sulfur複合中心のESR
• 30a-K-4 NaCl結晶中のS^イオンの発光
• 30p-H-16 Sを含むアルカリハライド結晶のルミネッセンス
• 30p-H-15 Sを含むアルカリハライド結晶の紫外線照射によるF中心の生成
• 3p-Z-5 NaCl におけるコロイド状 Na の生成
• 4p-DR-9 KBr:S結晶におけるphotochromism
• 6a-A2-16 V族結晶の高圧相
• 29a-G-5 V族元素の高圧下での金属相
• 5a-B-11 ヨウ素高圧相の第一原理からの全エネルギー計算と構造安定性
• SiCによるカーボンナノチューブ薄膜の作製と評価
• 28p-F-3 PbI_2のバンド構造と圧力依存性
• 3a-B3-4 固体ヨウ素の電子構造と圧力変化
• 遷移金属酸化物薄膜の表面改質と半導体リソグラフィへの応用
• 26pTG-2 異種原子がドープされたロジウム表面におけるNO分子の反応性 : 第一原理電子構造計算(26pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-11 ZnO極性面についての第一原理電子構造計算による研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pBB-4 ZnOの極性面における水素原子のふるまい : 第一原理電子構造計算(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pSB-9 Ni(111)表面に吸着したグラフェンの電子構造II : 貴金属インターカレーションの効果(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aEC-2 グラフェン/Ni(111)界面への貴金属インターカレーションの効果 : ショットキー接触形成の可能性(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))
• 18aFH-4 ペンタセンの電子構造と原子構造(18aFH 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXP-4 ベンタセンの電子構造と原子構造II(27aXP 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 3a-L2-11 ビスマスフラックス法により作成した黒リン単結晶の磁気抵抗効果とホール効果(半導体,(MOS,黒リン))
• 31a-G-4 黒リンにおける局在と磁気抵抗効果(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))
• 1a-BH-6 NaCl-S^およびNaBr-S^におけるサーモルミネッセンスとF中心生成(1a BH イオン結晶・光物性(微粒子,表面,色中心,その他))
• 31p-D5-12 NaCl結晶におけるS^イオンのthermo luminescence(31p D5 イオン結晶・光物性(色中心・不純物中心・欠陥生成),イオン結晶・光物性)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク