3a-L2-11 ビスマスフラックス法により作成した黒リン単結晶の磁気抵抗効果とホール効果(半導体,(MOS,黒リン))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1988-03-31

著者

• 小池 洋二

  東北大金研

• 馬場 守

  岩手大工

• 深瀬 哲郎

  東北大金研

• 森田 章

  岩手大工

• 泉田 福典

  岩手大工

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