馬場 守 | 岩手大 工
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概要
関連著者
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馬場 守
岩手大工
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馬場 守
岩手大 工
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西館 数芽
岩手大工
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西舘 数芽
岩手大学工学部電気電子工学科
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長谷川 正之
岩手大工
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馬場 守
岩手大学工学部
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西館 数芽
岩大工
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太田 康治
岩手大工
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柏葉 安兵衛
岩手大学工学部
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西館 数芽
岩手大院工
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柴田 清孝
青森職訓短大
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柏葉 安兵衛
岩手大学工学部 電気電子工学科
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池田 俊夫
岩手大 工
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太田 康治
岩手大学工学部
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西館 数芽
岩手大学工学部
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森田 章
石巻専修大理工
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藤原 民也
岩手大学工学部電気電子工学科
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藤原 民也
岩手大学
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西川 清
金大理
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大島 修三
岩手大
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大島 修三
(財)いわて産業振興センター
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西川 清
金沢大学理学部計算科学科
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西川 清
宮崎医科大学 放射線
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馬場 守
岩大工
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大島 修三
岩手大学
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西川 清
金沢大
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馬場 守
岩手大学大学院工学研究科
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小池 洋二
東北大工
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小池 洋二
東北大金研
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進藤 浩一
岩手大人社
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西川 清
金沢大理
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深瀬 哲郎
東北大金研
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武田 裕司
岩手大工
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池田 俊夫
一関工業高等専門学校
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伊藤 孝徳
岩手大農
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Sokolska I.
ポーランド科学アカデミー付属低温と構造に関する研究所
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Ryba-romaowski W.
ポーランド科学アカデミー付属低温と構造に関する研究所
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長谷川 正之
岩大工
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池田 俊夫
岩手大工
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大石 好行
岩手大学工学部応用化学科
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森 邦夫
岩手大学工学部応用化学科
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千葉 秀幸
岩手大工
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伊藤 孝徳
岩手大工
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森 邦夫
Department Of Applied Chemistry & Molecular Science Faculty Of Engineering Iwate University
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鈴木 一孝
岩手工業技術センター
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叶 榮彬
財団法人いわて産業振興センター
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鈴木 一孝
岩手県工業技術センター
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叶 榮彬
(財)いわて産業振興センター
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任 岳
岩手大学工学部
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吉田 真慈
岩手大学工学部
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泉田 福典
岩手県工技セ
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鈴木 一孝
岩手県工技セ
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森田 章
石巻専大理工
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森田 章
岩手大工
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池田 俊夫
一関高専
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西館 数芽
岩大院工
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馬場 守
岩大院工
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太田 康治
岩大院工
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長谷川 正之
岩大院工
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松倉 雄太
岩大院工
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高橋 保
岩手大学工学部
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Ryba-Romanowski W.
ポーランド科学アカデミー付属低温と構造に関する研究所
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二瓶 洋太朗
岩手大 工
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佐々木 圭
岩手大 工
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吐 榮彬
財団法人いわて産業振興センター
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森 邦夫
国立大学法人 岩手大学大学院工学研究科
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森 邦夫
岩手大学工学部応用分子化学科
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大石 好行
岩手大学工学部応用分子化学科
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森 邦夫
岩手大学工学部
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吉澤 正人
岩手大工
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原田 善之
JSTサテライト岩手
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児玉 浩一
金沢大理
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佐藤 牧
弘前大理工
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中村 嘉孝
岩手大工
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柴田 清孝
岩手大 工
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吉澤 正人
岩手大
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菅原 栄一
岩手大学工学部
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吐 榮彬
(財)いわて産業振興センター
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二瓶 洋太朗
岩手大工
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駒場 慎一
岩手大工
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駒場 慎一
Faculty of Engineering, Iwate University
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佐藤 孜
弘前大理工
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澤田 圭子
岩手大学工学部 電気電子工学科
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西舘 数芽
岩手大工
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伊藤 孝則
岩手大工
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熊谷 直昭
岩手大工
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佐藤 順
岩手大学工学部 電気電子工学科
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村井 元
岩手大学工学部 電気電子工学科
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阿部 貴志
岩手大学工学部 電気電子工学科
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上山 あや子
岩手大学工学部 電気電子工学科
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横山 亮
岩手大工
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横田 大輔
岩手大工
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原田 善之
岩手大工
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原田 義之
いわて産業振興センター
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平井 正光
東北大工
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熊谷 直昭
Faculty Of Engineering Iwate University
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柴田 清孝
岩手大工
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小松 優太
岩手大工
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鳥谷部 浩幸
岩大院工
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高橋 保
岩手大工
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西館 数芽
ポーランド科学アカデミー附属低温と構造に関する研究所
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Sokolska I.
Institute of Low Temperatures and Structure Research, Polish Academy of Sciences, Poland
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Ryba-Romaowski W.
Institute of Low Temperatures and Structure Research, Polish Academy of Sciences, Poland
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泉田 福典
岩手大工
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上山 あや子
岩手大学工学部 電気電子工学科:岩手大学機器分析センター
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Sokolska I.
Institute Of Low Temperature And Structure Research Polish Academy Of Sciences
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平井 正光
石巻専修大 理工
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佐々木 圭
岩手大工
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及川 裕司
岩手大工
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西館 数芽
岩手大 工
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二瓶 洋太郎
岩手大 工
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長谷川 正之
岩手大 工
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松倉 雄太
岩大工
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坂井 良旭
岩大工
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伊藤 孝徳
岩大工
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Gaylord Richard.J.
Univ.Illinois UC
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Schwan L.O.
Heinrich-Heine-Univ.
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Schmid D.
Heinrich-Heine-Univ.
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馬場 守
東北大工
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佐々木 富雄
岩手大工
-
木村 紀夫
岩手大工
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麻生 純一
岩手大 工
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三瓶 和久
岩手大 工
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池田 俊夫
岩手大学工学部
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駒場 慎一
Faculty Of Engineering Iwate University
著作論文
- 25pYK-11 カーボンナノチューブのフォノンスペクトルの強束縛近似分子動力学計算
- ペンタセン機能性有機薄膜の電気的特性
- ペンタセン有機薄膜の作製とキャラクタリゼーション
- 12pYC-7 Li をドープしたカーボンナノチューブの第一原理電子状態計算(量子細線, 領域 4)
- 26pV-5 3次元系における多粒子系ランダムウオークセルオートマトンモデル
- 25aYL-6 酸化バナジウムの分子動力学計算機実験
- p形CdS : Cu膜の評価と発光ダイオードへの応用
- 25aYH-1 ZnO上のMgB_2 : 第一原理電子構造解析(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 2p-D-15 黒リン単結晶のホール効果とその異常
- 31a-Z-6 黒リンにおける二次元アンダーソン局在と異常磁気抵抗効果
- 5a-C-14 黒リンにおけるアンダーソン局在
- 時間相関単一光子計数法と蛍光の減衰時間の測定
- 6a-A2-19 黒リン薄膜結晶の光吸収特性
- 1a-A-3 NaBr:S^におけるthermoluminescence過程
- フォトンカウンティング法による極微弱光の測定--サ-モルミネセンス測定への応用
- 23pXA-8 ZnOの極性面に吸着されたMgおよびB原子の電子構造(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 12aYB-10 欠陥を含む Wurtzite 型 GaN の第一原理電子状態計算(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 12aYB-9 欠陥を含む Wurtzite 型 ZnO の第一原理電子状態計算(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 31pZH-7 NaCl 結晶中の Mn^ イオンの蛍光励起スペクトルにおける微細構造
- 31pZH-6 ハロゲン化カリウム結晶中の O_2^- および S_2^- 分子イオンによるバイブロニック発光
- 23pXD-13 Mnを拡散したKCl-,KB_r-及びKI-S^結晶の紫外線照射によるS_2^-分子イオンの生成
- 29a-G-3 全閉管型ビスマスフラックス法による黒リン単結晶の作成
- 19aXA-8 カーボンナノチューブへのリチウム原子のインターカレーション(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYN-4 欠陥のあるカーボンナノチューブへのリチウムイオンの吸着 : 第一原理電子構造計算(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 12aYB-11 欠陥を含む Wurtzite 型 CdS の第一原理電子構造計算(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 29aZB-2 Li をドープしたカーボンナノチューブの第一原理電子構造計算
- 27pWB-1 カーボンナノチューブの第一原理電子状態計算
- 分子動力学法 : 古典から第1原理へ
- 24pYE-6 カーボンナノチューブの圧力制御Tight-binding MoleCular Dynamics
- 投稿論文 Mathematica による分子表示パッケージの開発
- Mesaによる電荷密度分布表示プログラム
- 2接触線の高周波通電に於ける近接抵抗に関する自由電子論的考察
- 2接触線の同方向高周波通電に於ける近接抵抗の研究
- 2接触線の高周波通電に於ける近接抵抗に関する自由電子論的考察(2)
- 2接触線の高周波通電に於ける近接抵抗に関する自由電子論的考察(1)
- 31a-C-10 2成分混合物における相の秩序化:アルゴリズムからのアプローチ
- 28p-YN-8 KCl結晶におけるMn^-Sulfur複合中心のESR
- 30a-K-4 NaCl結晶中のS^イオンの発光
- 30p-H-16 Sを含むアルカリハライド結晶のルミネッセンス
- 30p-H-15 Sを含むアルカリハライド結晶の紫外線照射によるF中心の生成
- 3p-Z-5 NaCl におけるコロイド状 Na の生成
- 4p-DR-9 KBr:S結晶におけるphotochromism
- SiCによるカーボンナノチューブ薄膜の作製と評価
- 遷移金属酸化物薄膜の表面改質と半導体リソグラフィへの応用