西館 数芽 | 岩手大院工
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概要
関連著者
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西館 数芽
岩手大工
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長谷川 正之
岩手大工
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西館 数芽
岩大工
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西舘 数芽
岩手大学工学部電気電子工学科
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西館 数芽
岩手大院工
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馬場 守
岩手大工
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馬場 守
岩手大 工
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太田 康治
岩手大工
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近藤 寛
慶応大理工
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近藤 寛
慶応大学
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近藤 寛
慶應義塾大学
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吉澤 正人
岩手大工
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荒木 悠
岩手大工
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吉澤 正人
岩手大院工
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吉澤 正人
岩手大学大学院工学研究科
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長谷川 正之
岩手大・工
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西館 数芽
岩手大・工
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西館 数芽
岩大院工
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馬場 守
岩大院工
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太田 康治
岩大院工
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長谷川 正之
岩大院工
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松倉 雄太
岩大院工
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Yoshizawa Masahito
Department Of Materials Science And Technology Iwate University
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近藤 寛
慶大理工
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二瓶 洋太朗
岩手大 工
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佐々木 圭
岩手大 工
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家富 洋
新潟大理
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原田 善之
JSTサテライト岩手
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吉本 則之
岩手大院工
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吉本 則之
岩手大学工学部
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吉澤 正人
岩手大
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二瓶 洋太朗
岩手大工
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駒場 慎一
岩手大工
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駒場 慎一
Faculty of Engineering, Iwate University
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横山 亮
岩手大工
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横田 大輔
岩手大工
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原田 善之
岩手大工
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原田 義之
いわて産業振興センター
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伊藤 孝徳
岩手大農
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小松 優太
岩手大工
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鳥谷部 浩幸
岩大院工
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吉本 則之
岩手大 工
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佐々木 圭
岩手大工
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及川 裕司
岩手大工
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西館 数芽
岩手大 工
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二瓶 洋太郎
岩手大 工
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長谷川 正之
岩手大 工
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松倉 雄太
岩大工
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馬場 守
岩大工
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長谷川 正之
岩大工
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伊東 賢太郎
岩手大院工
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荒木 悠
岩手大院工
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長谷川 正之
岩手大院工
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駒場 慎一
Faculty Of Engineering Iwate University
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伊東 賢太郎
岩手大工
著作論文
- 24aYN-3 変形に対する単層カーボンナノチューブの安定性(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 12pYC-7 Li をドープしたカーボンナノチューブの第一原理電子状態計算(量子細線, 領域 4)
- 15pWF-5 グラファイトの層間相互作用 : 第一原理計算と経験的方法(グラファイト, 領域 7)
- 25aYH-1 ZnO上のMgB_2 : 第一原理電子構造解析(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXF-6 グラファイト層間相互作用の第一原理計算とその限界
- 26aWS-2 Rh(111)面におけるNO分子の反応性 : 第一原理電子構造計算(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXA-8 ZnOの極性面に吸着されたMgおよびB原子の電子構造(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 12aYB-10 欠陥を含む Wurtzite 型 GaN の第一原理電子状態計算(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 12aYB-9 欠陥を含む Wurtzite 型 ZnO の第一原理電子状態計算(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 21pPSA-8 ロジウム面上の窒素酸化物分子(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-43 Rh(111)面におけるNO分子 : 第一原理電子構造計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-32 ZnO表面のナノ構造に関する理論的研究(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXA-9 ZnOの極性面に吸着された金属原子の第一原理電子構造計算(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTD-1 MgB_2薄膜の生成ダイナミクスと界面構造についての理論的研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-97 ZnO面へのMg/B原子の吸着 : 第一原理計算による表面ダイナミクスの研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aXA-8 カーボンナノチューブへのリチウム原子のインターカレーション(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYN-4 欠陥のあるカーボンナノチューブへのリチウムイオンの吸着 : 第一原理電子構造計算(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 12aYB-11 欠陥を含む Wurtzite 型 CdS の第一原理電子構造計算(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 26pTG-2 異種原子がドープされたロジウム表面におけるNO分子の反応性 : 第一原理電子構造計算(26pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pHA-11 ZnO極性面についての第一原理電子構造計算による研究(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))