6a-A2-16 V族結晶の高圧相
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1988-09-16
著者
-
進藤 浩一
岩手大人社
-
進藤 浩一
岩手大・人文社会
-
佐々木 泰造
金材技研
-
佐々木 泰造
物質・材料研究機構
-
織田 望
電総研
-
佐々木 泰造
NRIM
-
佐々木 泰造
物質・材料研究機構・計算科学センター
-
織田 望
東北大・理
関連論文
- 25pYK-11 カーボンナノチューブのフォノンスペクトルの強束縛近似分子動力学計算
- 30p-E-18 Rhombohedral AsのSOR角度分解光電子分光
- 23aYF-6 単層カーボンナノチューブの構造と電気抵抗の圧力効果
- 24pS-14 高圧下におけるカーボンナノチューブの多面体化
- 25aYL-6 酸化バナジウムの分子動力学計算機実験
- 31a-YT-5 高圧下におけるGaのバンド構造
- 27a-Y-6 Si(100)上のC_2次元三角格子結晶の電子状態の混合基底法による第一原理計算
- 3p-W-3 物質設計システムの試作
- 14a-S-13 角度分解紫外光電子分光法によるrhombohedral Asの電子構造の研究I
- 29p-ZE-9 黒リンの新しい圧力誘起相転移
- 31a-W-2 高圧下の黒リンII : 格子振動
- 31a-W-1 高圧下の黒リン : I. 結晶構造と凝集エネルギー
- 12p-DK-7 シリコン中の格子間酸素の断熱ポテンシャル
- 27p-H-3 シリコン中の格子間酸素の低エネルギー非調和運動に対する炭素の影響
- 29p-K-2 シリコン中の炭素 : 酸素複合体に起因する赤外吸収
- 2p-Z-12 シリコン中の炭素-酸素複合体による赤外吸収
- 31a-Z-7 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
- 3p-Q-11 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
- 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
- 26a-Z-2 第一原理分子動力学法によるCu表面の構造最適化
- 27a-ZF-5 APW基底によるCar-Parrinello法
- 第1原理分子動力学法による不純物,格子欠陥の研究 (計算機による材料設計)
- 25p-A-4 A1の欠陥エネルギー II
- La_Ba_xCuO_4とNd_Ce_xCuO_4のバンド構造計算
- Alの欠陥エネルギー
- 5a-D-4 ZnSe:Liの電子状態と原子配置
- 31a-Z-12 化合物半導体での原子空孔による格子緩和 II
- 6p-C-5 ZnSe : Liの原子配置
- 6p-C-4 化合物半導体中での原子空孔による格子緩和
- 3a-A2-7 Dynamical Simulated Annealing法によるSiのバンド計算
- 族化合物の圧力下NaCl構造の電子構造(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
- 4p-NL-10 族化合物の圧力下NaCl構造の電子構造
- 30a-S-10 NaCl型金属InSbの電子構造と安定性
- 2a-G-4 NaCl型InSbの電子構造
- 31p GK-2 IV族およびIII-V族半導体のコンプトン・プロフィルの異方性
- IV族, V族の電子構造と結晶構造
- 3p-AB-3 3次摂動展開法によるAsの格子振動
- 3a-BJ-2 擬ポテンシャル法による As と Sb の結晶エネルギー
- 11a-R-1 Si,Geのコンプトン・プロフィルの異方性の計算
- 4p-M-20 Siの誘電行列の計算
- 5p-B-9 族及び族結晶とHeine-Jones model
- 7p-U-9 ブロッホ関数の多谷有効質量近似に対する効果
- 12p-T-8 金属中のExciton
- 2a-B-11 Cs_3Sbの化学結合の性質
- 27a-J-7 高圧下におけるInのバンド構造
- 高圧下におけるSの電子構造
- 13p-A-8 高圧下におけるSeのバンド構造II
- 30a-X-6 高圧下におけるSeのバンド構造
- 25p-T-2 高圧下におけるSeの状態方程式
- 28p-ZP-3 高圧下におけるTeの状態方程式
- 29p-ZE-8 高圧下におけるTeの電子状態
- 28p-B-12 圧力下でのV族元素の構造安定性
- 3a-F-2 Cs_3 Sbの電子構造と化学結合
- 3a-F-1 CsIの電荷分布の圧力依存性
- 31p-M-3 ab initio分子動力学法によるa-Si:Hの光誘起欠陥の電子構造
- 26pU-7 階層構造をもつパターンの連想記憶と反学習効果II : SN比の解析
- 30p-PSA-48 階層構造をもつパターンの連想記憶と反学習効果
- 二次元±Jイジングスピングラスの絶対零度でのオーダーパラメーラー分布関数
- 29a-D-8 二次元サイトランダムイジングモデルのスピングラス相転移
- 4p-PSA-11 マルチカノニカル法によるランダムスピン系のシミュレーション
- 22aX-8 TiO_2の圧力誘起構造相転移の理論計算
- 26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
- 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
- 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
- 6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
- 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
- 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
- 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
- Al(001)表面への酸素の吸着過程
- Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
- 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
- NiOの高圧下での構造
- 5a-D-7 黒リンのバンド構造(圧力効果)III
- 3p-KG-5 黒リンのバンド構造(圧力効果)II
- 13a-N-17 黒リンのバンド構造(圧力効果)
- 28a-E-1 黒リン(半導体)のエネルギーバンド構造 II
- 3p-AB-1 擬ポテンシャル展開法によるリン(P)の圧力転移
- 24pYE-6 カーボンナノチューブの圧力制御Tight-binding MoleCular Dynamics
- 6a-A2-16 V族結晶の高圧相
- 29a-G-5 V族元素の高圧下での金属相
- 29a-G-4 黒リンの電子-格子相互作用
- 29p-L-14 ヨウ素常圧相の電子構造
- 29p-F-6 ヨウ素高圧相の電子構造
- 28p-B-8 リン金属相の電子構造と格子振動 III
- 1p-F-16 リンの電子構造と格子振動
- 5a-B-11 ヨウ素高圧相の第一原理からの全エネルギー計算と構造安定性
- 28p-F-3 PbI_2のバンド構造と圧力依存性
- 3a-B3-4 固体ヨウ素の電子構造と圧力変化
- 11p-F-14 異方性結晶に於ける電子正孔液滴の形状
- 3p-TC-1 CsI結晶の圧力効果I : エネルギーギャップ
- 11p-N-10 GaAs中のCrの電子状態
- 11p-N-9 Si中の格子間位置における軽い不純物の超微細相互作用
- 28a-N-11 Si中の格子間位置における3d遷移金属不純物の電子状態
- 2a-N-5 半導体の遷移金属不純物の電子構造 II
- 2p-F-5 半導体Ge中の遷移金属不純物の電子構造I
- 4p-D-2 セルフコンシステント擬ポテンシャル法と Si のバンド構造
- 3a GE-8 Sbの結晶構造の安定性と圧力依存性
- 30a-LE-8 リン金属相の電子構造と構造安定性(半導体)
- 31p-FB-7 高圧下CsIの金属化(31p FB 半導体(磁性半導体,ナローギャップ))
- 28a-S-2 定圧自己無撞着擬ポテンシャル法によるヨウ素の高圧相(28aS 誘電体)