佐々木 泰造 | 金材技研
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概要
関連著者
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佐々木 泰造
金材技研
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小口 多美夫
広島大理
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大野 隆央
金材技研
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佐々木 泰造
物質・材料研究機構
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佐々木 泰造
NRIM
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佐々木 泰造
物質・材料研究機構・計算科学センター
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吉田 博
東北大理
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小口 多美夫
金材技研
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森田 章
岩手大工
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金田 千穂子
富士通研
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新関 駒二郎
東北大理
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奈良 純
金材技研
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奈良 純
物質材料研究機構:東大生産研
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佐々木 泰造
東北大理
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織田 望
電総研
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朝比奈 秀夫
東北大理
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森田 章
東北大理
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進藤 浩一
岩手大人社
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金田 千穂子
富士通研究所
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佐々木 泰造
東北大 理
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新関 駒二郎
東北大 理
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飯島 澄男
名城大学大学院理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
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飯島 澄男
JST
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秦 禄昌
JST
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松下 明行
金材技研
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唐 捷
金材技研
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田口 明仁
NTT物性基礎研
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湯田坂 雅子
Aistナノチューブ研究センター
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唐 捷
物質・材料研究機構
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湯田坂 雅子
JST
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飯島 澄男
NECグリーンイノベーション研究所
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田口 明仁
NTT基礎研究所
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新関 駒二郎
東北大・理
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佐々木 泰造
東北大・理
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織田 望
東北大 理
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亀掛川 卓美
物構研
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亀掛川 卓美
物質構造科学研
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織田 望
産総研
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進藤 浩一
岩手大・人文社会
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吉川 博
東北大理
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織田 望
東北大理
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吉田 博
東北大・理
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西川 篤志
千葉経済大短大部
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西川 篤志
東北大・理
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進藤 浩一
岩大・人社
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織田 望
東北大・理
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森田 章
岩手大・工
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森田 章
東北大 理
著作論文
- 23aYF-6 単層カーボンナノチューブの構造と電気抵抗の圧力効果
- 24pS-14 高圧下におけるカーボンナノチューブの多面体化
- 3p-W-3 物質設計システムの試作
- 12p-DK-7 シリコン中の格子間酸素の断熱ポテンシャル
- 27p-H-3 シリコン中の格子間酸素の低エネルギー非調和運動に対する炭素の影響
- 29p-K-2 シリコン中の炭素 : 酸素複合体に起因する赤外吸収
- 2p-Z-12 シリコン中の炭素-酸素複合体による赤外吸収
- 31a-Z-7 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
- 3p-Q-11 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
- 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
- 26a-Z-2 第一原理分子動力学法によるCu表面の構造最適化
- 27a-ZF-5 APW基底によるCar-Parrinello法
- 第1原理分子動力学法による不純物,格子欠陥の研究 (計算機による材料設計)
- 25p-A-4 A1の欠陥エネルギー II
- La_Ba_xCuO_4とNd_Ce_xCuO_4のバンド構造計算
- Alの欠陥エネルギー
- 5a-D-4 ZnSe:Liの電子状態と原子配置
- 31a-Z-12 化合物半導体での原子空孔による格子緩和 II
- 6p-C-5 ZnSe : Liの原子配置
- 6p-C-4 化合物半導体中での原子空孔による格子緩和
- 3a-A2-7 Dynamical Simulated Annealing法によるSiのバンド計算
- 28p-B-12 圧力下でのV族元素の構造安定性
- 31p-M-3 ab initio分子動力学法によるa-Si:Hの光誘起欠陥の電子構造
- 22aX-8 TiO_2の圧力誘起構造相転移の理論計算
- 26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
- 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
- 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
- 6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
- 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
- 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
- 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
- Al(001)表面への酸素の吸着過程
- Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
- 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
- NiOの高圧下での構造
- 5a-D-7 黒リンのバンド構造(圧力効果)III
- 3p-KG-5 黒リンのバンド構造(圧力効果)II
- 13a-N-17 黒リンのバンド構造(圧力効果)
- 6a-A2-16 V族結晶の高圧相
- 29a-G-5 V族元素の高圧下での金属相
- 29a-G-4 黒リンの電子-格子相互作用
- 29p-L-14 ヨウ素常圧相の電子構造
- 29p-F-6 ヨウ素高圧相の電子構造
- 28p-B-8 リン金属相の電子構造と格子振動 III
- 1p-F-16 リンの電子構造と格子振動