小口 多美夫 | 広島大理
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概要
関連著者
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小口 多美夫
広島大理
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小口 多美夫
金材技研
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佐々木 泰造
金材技研
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吉田 博
東北大理
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中村 仁
電通大
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渡邊 正満
理研
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山崎 尚
電通大
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茄子田 真也
電気通信大学電気通信学研究科
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渡邉 正満
高エ研放射光
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黒木 和彦
電通大
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茄子田 翼也
電通大
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辛 埴
東大物性研
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山田 修義
電通大
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山田 修義
電通大電子物性
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渡邊 正満
理研播磨
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椛沢 栄基
電通大
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木村 憲彰
東北大極低セ
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田島 節子
ISTEC
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小口 多美夫
広島大学理学部
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寺倉 清之
産総研
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梅田 裕二
東北大極低セ
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大野 隆央
金材技研
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寺倉 清之
Jrcat
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寺倉 清之
融合研(jrcat)
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寺倉 清之
東大物性研
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浅田 寿生
静大工短
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浅田 寿生
静大工
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皆川 慎
東北大院理
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佐々木 泰三
金材技研
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吉田 博
東北大・理
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Xu J.H.
上海冶金研究所
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Freeman A.J.
ノースウェスタン大学
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皆川 慎
東北大極低セ
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椛沢 栄苗
電通大
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山本 文子
ISTEC
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大谷 茂樹
物・材機構
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辛 埴
理研播磨 ; 東大物性研
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渡邉 正満
瑠研播磨
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大谷 茂樹
物貫・材料観
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田島 驚子
ISTEC
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山田 修磯
電通大
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Lee S.
ISTEC
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青木 曙善
東北大極低温科学セ
-
梅田 裕二
東北大極低温科学セ
著作論文
- 12a-S-16 α, β Mnの電子状態-I
- 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
- 26a-Z-2 第一原理分子動力学法によるCu表面の構造最適化
- 27a-ZF-5 APW基底によるCar-Parrinello法
- 27p-C-9 計算物理からの展望 : ZnSe中の不純物移動の理論
- 第1原理分子動力学法による不純物,格子欠陥の研究 (計算機による材料設計)
- 25p-A-4 A1の欠陥エネルギー II
- 3p-C-5 Car-Parrinello法-パルク中の欠陥-
- La_Ba_xCuO_4とNd_Ce_xCuO_4のバンド構造計算
- Alの欠陥エネルギー
- 5a-D-4 ZnSe:Liの電子状態と原子配置
- 3p-C-5 Car-Parrinello法 : バルク中の欠陥
- 31a-Z-12 化合物半導体での原子空孔による格子緩和 II
- 第1原理的分子動力学法--Car-Parrinello法とその周辺
- 6p-C-5 ZnSe : Liの原子配置
- 6p-C-4 化合物半導体中での原子空孔による格子緩和
- 3a-A2-7 Dynamical Simulated Annealing法によるSiのバンド計算
- 29p-F-2 金属間化合物の相安定性
- 計算材料科学--電子状態計算と物質設計 (90年代のキ-テクノロジ-)
- 24pPSB-43 ZrB_2およびHfB_2のボロンp軌道部分状態密度(24pPSB 遷移金属酸化物,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pPSB-42 軟X線吸収・発光分光によるMB_2(M=Nb,Ta)単結晶のBの部分電子状態密度の観測(24pPSB 遷移金属酸化物,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pYJ-12 軟X線吸収・発光分光によるMgB_2、AlB_2単結晶のBの電子状態:ρσ、ρπ軌道の部分電子状態密度(24pYJ MgB_2と関連物質,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))