5a-D-4 ZnSe:Liの電子状態と原子配置
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-09-12
著者
関連論文
- 23aYF-6 単層カーボンナノチューブの構造と電気抵抗の圧力効果
- 24pS-14 高圧下におけるカーボンナノチューブの多面体化
- 12a-S-16 α, β Mnの電子状態-I
- 28p-PS-9 酸化物高温超伝導体の電子状態
- 29a-O-10 MBEの分子動力学によるシミュレーション
- 29p-F-1 平衡状態図の理論I. 貴金属系合金に対する電子論
- 3p-W-3 物質設計システムの試作
- 12p-DK-7 シリコン中の格子間酸素の断熱ポテンシャル
- 27p-H-3 シリコン中の格子間酸素の低エネルギー非調和運動に対する炭素の影響
- 29p-K-2 シリコン中の炭素 : 酸素複合体に起因する赤外吸収
- 2p-Z-12 シリコン中の炭素-酸素複合体による赤外吸収
- 31a-Z-7 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
- 3p-Q-11 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
- 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
- 26a-Z-2 第一原理分子動力学法によるCu表面の構造最適化
- 27a-ZF-5 APW基底によるCar-Parrinello法
- 27p-C-9 計算物理からの展望 : ZnSe中の不純物移動の理論
- 第1原理分子動力学法による不純物,格子欠陥の研究 (計算機による材料設計)
- 25p-A-4 A1の欠陥エネルギー II
- 3p-C-5 Car-Parrinello法-パルク中の欠陥-
- La_Ba_xCuO_4とNd_Ce_xCuO_4のバンド構造計算
- Alの欠陥エネルギー
- 5a-D-4 ZnSe:Liの電子状態と原子配置
- 3p-C-5 Car-Parrinello法 : バルク中の欠陥
- 31a-Z-12 化合物半導体での原子空孔による格子緩和 II
- 第1原理的分子動力学法--Car-Parrinello法とその周辺
- 6p-C-5 ZnSe : Liの原子配置
- 6p-C-4 化合物半導体中での原子空孔による格子緩和
- 3a-A2-7 Dynamical Simulated Annealing法によるSiのバンド計算
- 29p-F-2 金属間化合物の相安定性
- 28p-B-12 圧力下でのV族元素の構造安定性
- 計算材料科学--電子状態計算と物質設計 (90年代のキ-テクノロジ-)
- 31p-M-3 ab initio分子動力学法によるa-Si:Hの光誘起欠陥の電子構造
- 22aX-8 TiO_2の圧力誘起構造相転移の理論計算
- 26a-YM-2 Al(111)表面への酸素の吸着過程III
- 25p-T-10 III-As半導体中のフッ素原子の拡散過程
- 2a-YF-8 水素終端Si(100)ステップ表面におけるSi原子拡散
- 6a-H-10 Al(111)表面への酸素の吸着過程II
- 5a-B-1 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算II : 水素原子の及ぼす効果
- 29p-F-13 水素終端Si(100)表面上のSi原子拡散の第一原理計算
- 31a-E-4 GaAs中のハロゲン原子の拡散過程
- Al(001)表面への酸素の吸着過程
- Se δ ドープGaAsの電子構造I : Ga空孔の効果
- 3a-X-12 SeδドープGaAsの電子構造
- NiOの高圧下での構造
- 5a-D-7 黒リンのバンド構造(圧力効果)III
- 3p-KG-5 黒リンのバンド構造(圧力効果)II
- 13a-N-17 黒リンのバンド構造(圧力効果)
- 6a-A2-16 V族結晶の高圧相
- 29a-G-5 V族元素の高圧下での金属相
- 29a-G-4 黒リンの電子-格子相互作用
- 29p-L-14 ヨウ素常圧相の電子構造
- 29p-F-6 ヨウ素高圧相の電子構造
- 28p-B-8 リン金属相の電子構造と格子振動 III
- 1p-F-16 リンの電子構造と格子振動
- 31a-F4-7 シリコンの多体原子間tポテンシャル(表面・界面)
- 31a-F4-2 MBEの分子動力学によるシミュレーンヨンII(表面・界面)
- 30a-K-8 金属間化合物の相安定性 : II CuPtとCuPd(金属)
- 24pPSB-43 ZrB_2およびHfB_2のボロンp軌道部分状態密度(24pPSB 遷移金属酸化物,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pPSB-42 軟X線吸収・発光分光によるMB_2(M=Nb,Ta)単結晶のBの部分電子状態密度の観測(24pPSB 遷移金属酸化物,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pYJ-12 軟X線吸収・発光分光によるMgB_2、AlB_2単結晶のBの電子状態:ρσ、ρπ軌道の部分電子状態密度(24pYJ MgB_2と関連物質,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))