3p-C-5 Car-Parrinello法-パルク中の欠陥-
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-10-02
著者
関連論文
- 12a-S-16 α, β Mnの電子状態-I
- 28p-PS-9 酸化物高温超伝導体の電子状態
- 29a-O-10 MBEの分子動力学によるシミュレーション
- 29p-F-1 平衡状態図の理論I. 貴金属系合金に対する電子論
- 3a-PS-47 YBa_2Cu_4O_8のホール係数
- 26a-Z-2 第一原理分子動力学法によるCu表面の構造最適化
- 27a-ZF-5 APW基底によるCar-Parrinello法
- 27p-C-9 計算物理からの展望 : ZnSe中の不純物移動の理論
- 第1原理分子動力学法による不純物,格子欠陥の研究 (計算機による材料設計)
- 25p-A-4 A1の欠陥エネルギー II
- 3p-C-5 Car-Parrinello法-パルク中の欠陥-
- La_Ba_xCuO_4とNd_Ce_xCuO_4のバンド構造計算
- Alの欠陥エネルギー
- 5a-D-4 ZnSe:Liの電子状態と原子配置
- 3p-C-5 Car-Parrinello法 : バルク中の欠陥
- 31a-Z-12 化合物半導体での原子空孔による格子緩和 II
- 第1原理的分子動力学法--Car-Parrinello法とその周辺
- 6p-C-5 ZnSe : Liの原子配置
- 6p-C-4 化合物半導体中での原子空孔による格子緩和
- 3a-A2-7 Dynamical Simulated Annealing法によるSiのバンド計算
- 29p-F-2 金属間化合物の相安定性
- 計算材料科学--電子状態計算と物質設計 (90年代のキ-テクノロジ-)
- 31a-F4-7 シリコンの多体原子間tポテンシャル(表面・界面)
- 31a-F4-2 MBEの分子動力学によるシミュレーンヨンII(表面・界面)
- 30a-K-8 金属間化合物の相安定性 : II CuPtとCuPd(金属)
- 24pPSB-43 ZrB_2およびHfB_2のボロンp軌道部分状態密度(24pPSB 遷移金属酸化物,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pPSB-42 軟X線吸収・発光分光によるMB_2(M=Nb,Ta)単結晶のBの部分電子状態密度の観測(24pPSB 遷移金属酸化物,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pYJ-12 軟X線吸収・発光分光によるMgB_2、AlB_2単結晶のBの電子状態:ρσ、ρπ軌道の部分電子状態密度(24pYJ MgB_2と関連物質,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))