金田 千穂子 | 富士通研究所
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概要
関連著者
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金田 千穂子
富士通研究所
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金田 千穂子
富士通研
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山崎 隆浩
富士通研究所
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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寺倉 清之
北陸先端大融合院
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内山 登志弘
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
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寺倉 清之
Jrcat
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内山 登志弘
JRCAT-ATP
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高橋 憲彦
富士通研究所
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宇田 毅
JRCAT-ATP
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吉田 博
東北大理
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佐々木 泰造
金材技研
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鳥海 明
東大
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小田中 紳二
阪大
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藤村 忠雄
東北大科研
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高橋 庸夫
北大
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小坂 裕子
富士通研究所
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金田 千穂子
(株)富士通研究所
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鳥海 明
東大・物工
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鳥海 明
東大院工
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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阿山 みよし
宇都宮大学大学院工学研究科
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田中 秀和
阪大産研
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小野 崇人
東北大学
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大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー(株)
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小池 洋二
東北大工
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秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
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高村 禅
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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新宮原 正三
関西大学大学院工学研究科
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小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻
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宮崎 照宣
東北大学原子分子材料科学高等研究機構(WPI)
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吉田 隆
名大工
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斗内 政吉
阪大超伝導フォトニクス
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安藤 康夫
東北大工
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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竹田 美和
名大工
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高村 禅
北陸先端大院・マテリアルサイエンス
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高村 禅
北陸先端科学技術大学院大学
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浦岡 行治
奈良先端大
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羽根 一博
東北大学
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向田 昌志
山形大学工学部
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一木 隆範
東大院・工・バイオエンジニアリング
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平本 俊郎
東大
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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川瀬 晃道
理化学研究所
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川瀬 晃道
理研
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田巻 明
東京電機大工
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尾崎 雅則
阪大院・工
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尾崎 雅則
阪大・工
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小田 俊理
東工大工
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小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
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小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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和田 隆博
龍谷大理工
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木村 英樹
東海大学
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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松井 真二
兵庫県立大高度研
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山本 公
アルバック・ファイ(株)
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秋永 広幸
産総研
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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森 伸也
阪大院工
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森 伸也
阪大工
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毛塚 博史
東京工科大
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三木 一司
物材機構
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辰巳 哲也
ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門
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辰巳 哲也
技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室
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金田 寛
新潟大物質量子セ
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勝山 俊夫
東大生研ナノエレ連携研
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八井 浄
長岡技術科学大学極限エネルギー密度工学研究センター
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進藤 春雄
東海大
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田村 收
産総研
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伊藤 雅英
筑波大
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馬場 俊彦
横国大
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藤田 安彦
都立工業高専
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小笠原 宗博
東芝研開セ
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筒井 哲夫
九大院総理工
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小川 真一
松下電器半導体社
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粟野 祐二
富士通研
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藤田 静雄
京大国際融合創造セ
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脇坂 健一郎
三洋電機
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佐藤 芳之
NTT-AT
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白井 肇
埼玉大
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林 康明
京都工繊大工芸
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岡本 隆之
理研
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梶川 浩太郎
東工大
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財満 鎭明
名大
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影島 愽之
NTT物性科学基礎研究所
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川田 善正
静岡大
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山本 哲也
高知工大
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酒井 朗
名大院工
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櫻庭 政夫
東北大通研
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中川 清和
山梨大工
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梶川 靖友
島根大総理工
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竹田 美和
名大院工
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田中 三郎
豊橋技大
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王 鎮
情報通信研究機構
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芝山 敦史
ニコン
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佐波 俊哉
KEK
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栖原 敏明
阪大
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宮崎 照宣
東北大院工
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安藤 康夫
東北大院工
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松本 仁
防衛大材料
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鵜殿 治彦
茨城大工
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末益 崇
筑波大物理工
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鈴木 恒則
東海大理
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喜岡 俊英
東理大工
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福井 孝志
北大量集センタ
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高橋 庸夫
NTT物性基礎研
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岡田 勝行
物材機構
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尾松 孝茂
千葉大
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栗村 直
物材機構
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松尾 二郎
京大
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藤原 巧
長岡技科大
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白谷 正治
九大院システム情報
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宮崎 誠一
広大院先端研
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向田 昌志
山形大
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三木 一司
電総研
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酒井 朗
大阪大学
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尾崎 雅則
大阪大学
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宮崎 照宣
東北大工
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土屋 英昭
神戸大工
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院
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松尾 二郎
京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター
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鈴木 恒則
東京工科大学
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藤田 安彦
東京都立産業技術高等専門学校
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山本 哲也
東京都立産業技術高等専門学校
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栗村 直
独立行政法人物質・材料研究機構光材料センター
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金田 寛
富士通研
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阿山 みよし
宇都宮大学・院・工
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石田 誠
豊橋技科大
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井谷 俊郎
Selete
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上野 和良
芝浦工大
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坂本 邦博
産総研
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芝原 健太郎
広大
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須田 良幸
農工大
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久本 大
日立
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廣瀬 和之
宇宙研
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水野 文二
UJTラボ
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須田 良幸
農工大・工
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田巻 明
東京電機大学
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小野 春彦
NEC
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小坂 裕子
(株)富士通研究所
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山崎 隆浩
(株)富士通研究所
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森崎 祐輔
(株)富士通研究所
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杉田 義博
(株)富士通研究所
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宇田 毅
アトムテクノロジー研究所オングストロームテクノロジ研究機構
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内山 登志弘
アトムテクノロジー研究所オングストロームテクノロジ研究機構
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寺倉 清之
アトムテクノロジー研究体産業技術融合領域研究所
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内山 登志弘
JACAT-ATP
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宇田 毅
JACAT-ATP
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寺倉 清之
JACAT-NAIR
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宇山 毅
JRCAT-ATP
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一木 隆範
東洋大学・工
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新宮原 正三
関西大
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田中 三郎
豊橋技術科学大学
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松尾 二郎
京大院工
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井谷 俊郎
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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白井 肇
埼玉大学大学院 理工学研究科 機能材料工学専攻
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辰巳 哲也
ソニー
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川田 善正
静岡大学 工学部
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尾松 孝茂
千葉大学大学院自然科学研究科
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尾松 孝茂
千葉大学
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後藤 輝孝
東北大科研
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高村 禅
北陸先端大
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木村 英樹
東海大学大学院総合理工学研究科
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森 伸也
阪大
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八井 浄
長岡技術科学大学 極限エネルギー密度工学研究センター
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栖原 敏明
大阪大学大学院工学研究科
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小野 崇人
東北大学大学院工学研究科
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林康 明
京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科
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白谷 正治
九大
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小田 俊理
東工大
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岡田 勝行
千葉大工
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鈴木 恒則
東海大学理学部
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Tanaka S
Superconducting Sensor Laboratory Itami Laboratory
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藤村 忠雄
東北大学科学計測研究所
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Yatsui K
Technological Univ. Nagaoka Nagaoka Jpn
-
Yatsui Kiyoshi
Laboratory Of Beam Technology Department Of Electrical Engineering Nagaoka University Of Technology
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森崎 祐輔
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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林 康明
京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科
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伊藤 雅英
筑波大物理工
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田村 收
産総研 計測標準研究部門
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大沢 通夫
富士電機アドバンストテクノロジー
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末益 崇
筑波大
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馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
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脇坂 健一郎
三洋電機(株)md技開センターbu
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高橋 庸夫
東北大・工
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福井 孝志
北海道大学大学院情報科学研究科
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
-
三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
-
三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
-
財満 鎭明
名大院工
-
中川 清和
山梨大大学院
-
進藤 春雄
東海大 工
-
梶川 浩太郎
東工大・工
-
藤田 静雄
京大国際融合総合センタ
著作論文
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- シリコン技術
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ナノデバイスに向けたシリコン/絶縁体界面の解明と設計のための試み (特集 原子・電子レベルからの材料界面設計)
- HfO_2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 結晶工学分科会, シリコンテクノロジー分科会共同企画 : 超高速・低消費電力トランジスタを実現する結晶材料・プロセス・デバイス技術
- HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 半導体A(シリコン)
- 高誘電率ゲート絶縁膜材料の結晶化シミュレーション
- Si/SiO_2界面の構造と電子状態
- 26pYL-5 Si(100)/SiO_2界面欠陥の電子状態
- 26aPS-8 Sio_2/Si(001)界面の電子構造
- 29a-PS-9 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態(II)
- 27a-PS-11 SiO_2/Si(001)界面構造と電子状態
- 31a-PS-20 SiO_2/Siの界面構造(II)
- 酸化膜中の水素関連不純物による欠陥および電荷捕獲中心の生成
- 7a-PS-31 SiO_2/Siの界面構造
- 酸化膜中欠陥の物理
- 酸化膜中の局所的歪みおよび不純物によるトラップ生成
- 2p-Z-12 シリコン中の炭素-酸素複合体による赤外吸収
- 31a-Z-7 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
- 3p-Q-11 シリコン中の炭素-酸素複合体の安定構造
- 26a-G-8 格子間型不純物酸素によるSi結晶の低温弾性異常 (II)
- 29p-K-12 GeドープによるSi:Oの局在モード変調(II)
- 31p-TB-1 Si中の格子間酸素による1750cm吸収帯の起源
- シリコン中の酸素のふるまい (半導体の不純物精密制御とクリ-ン化)
- 酸化膜中の欠陥と電荷捕獲--量子論的計算によるアプロ-チ
- 3a-M-11 アモルファスSiO_2中の不純物による正孔捕獲と原子移動
- アモルファスSiO2における欠陥と劣化
- 27a-N-13 SiO_2中のholeのself-trapに対する局所的構造変化の影響
- 計算化学統合プラットフォームSCIGRESSの適用事例 (特集 材料設計ソリューションの開発・利用の現状と課題) -- (個別ソリューション・プラットフォーム事例)
- 1a-L2-10 Si:oにおけるオフセンタートンネル励起-局在フォノン相互作用(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
- 28p-LE-1 格子間型不純物酸素によるシリコン結晶の低温弾性異常(半導体)