金田 千穂子 | 富士通研
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概要
関連著者
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金田 千穂子
富士通研
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金田 千穂子
富士通研究所
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山崎 隆浩
株式会社富士通研究所
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吉田 博
東北大理
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山崎 隆浩
富士通研究所
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森田 章
東北大理
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寺倉 清之
北陸先端大融合院
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内山 登志弘
産業技術融合領域研究所アトムテクノロジー研究体
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佐々木 泰造
金材技研
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寺倉 清之
Jrcat
著作論文
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- シリコン技術
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム:コンピュテーショナル・マテリアルズ・デザイン(CDM^[○!R])先端研究事例,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 22pWA-5 半導体デバイス用絶縁膜材料開発における原子スケールシミュレーションの活用(領域11,領域4合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ナノデバイスに向けたシリコン/絶縁体界面の解明と設計のための試み (特集 原子・電子レベルからの材料界面設計)
- HfO_2系ゲート絶縁膜の熱的安定性に対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 結晶工学分科会, シリコンテクノロジー分科会共同企画 : 超高速・低消費電力トランジスタを実現する結晶材料・プロセス・デバイス技術
- HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 半導体A(シリコン)