金田 寛 | 富士通研
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概要
関連著者
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金田 寛
富士通研
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金田 寛
新潟大物質量子セ
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根本 祐一
新潟大院自然
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後藤 輝孝
新潟大院自然
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中村 慎太郎
東北大金研
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佐藤 幸治
新潟大院自然
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金田 寛
富士通ULSI開発部
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齋藤 康裕
新潟大院自然
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中村 慎太郎
東北大極低温科セ
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柿本 浩一
九州大応用力学研
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金田 寛
富士通 Ulsi開発部
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金田 寛
富士通研究所
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中村 慎太郎
東北大極低セ
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高橋 英樹
富士通
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末澤 正志
東北大金研
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須藤 彰三
東北大院理
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木村 大介
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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棚橋 克人
富士通研
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小野 春彦
JFCC
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小野 春彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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小野 春彦
神奈川県産技セ
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伊藤 公平
慶応大理工
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高橋 英樹
阪大理
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高橋 英樹
富士通ULSI開発部
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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金田 千穂子
富士通研
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末澤 正志
東北大・金研
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Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
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金田 千穂子
富士通研究所
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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柿本 浩一
九州大応力研
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伊藤 公平
慶大理工
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深田 直樹
東北大金研:(現)筑波大物理工学系
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深田 直樹
物質材料研究機構
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加藤 治郎
慶大理工
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齊藤 康裕
新潟大院自然
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深田 直樹
東北大・金研
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後藤 輝孝
新潟院自然:jst-trip
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高橋 英樹
東北大院工
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深田 直樹
物質・材料研究機構
著作論文
- 25p-T-5 シリコン結晶中の不純物酸素による600cm^赤外吸収帯スペクトルとその起源に対する理論的説明
- 30a-YK-4 シリコン中の鉄の析出過程
- 酸素析出温度の異なるシリコン中の鉄のゲッタリング
- 24aPS-98 シリコン結晶中の原子空孔に起因した弾性定数ソフト化(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19aWH-9 炭酸ガスレーザ照射によるSi(100)表面の酸化膜成長過程II(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 結晶工学分科会企画シンポジウム : 次世代低温プロセスに向けた結晶技術と関連基礎研究
- 31pYG-11 シリコン中の酸素に対する局在モード結合低エネルギー非調和励起理論の拡張 : A_ モードの考慮による光吸収の統一的説明
- 窒素添加300mmシリコン基板
- 17pTG-3 Si結晶中の酸素による局在モード結合低エネルギー励起のone-A_-phonon plus one-A_-phonon励起状態までのエネルギー準位
- 17pTG-2 ^Si結晶中の酸素原子局在振動
- 27aUE-11 超音波計測によるデバイス用シリコン結晶の原子空孔の直接観測(27aUE 軌道秩序,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aUE-12 低温超音波計測によるシリコン結晶での原子空孔のヤーンテラー効果の観測(27aUE 軌道秩序,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aPS-89 超音波によるシリコン単結晶中原子空孔の電荷状態の研究(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- シリコン中の酸素のふるまい (半導体の不純物精密制御とクリ-ン化)
- 23aYC-1 炭酸ガスレーザ照射によるSi(100)表面の酸化膜成長過程(23aYC 表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31a-ZA-6 シリコン中の水素・アクセプター対による光吸収