末澤 正志 | 東北大・金研
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概要
関連著者
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末澤 正志
東北大・金研
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末澤 正志
東北大金研
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深田 直樹
東北大金研:(現)筑波大物理工学系
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深田 直樹
物質材料研究機構
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深田 直樹
物質・材料研究機構
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角野 浩二
東北大・金研
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角野 浩二
新日鐵・技術開発
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深田 直樹
東北大・金研
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米永 一郎
東北大金研
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米永 一郎
東北大
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渡辺 武人
東北大・金研
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粕谷 厚生
東北大・金研
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深田 直樹
東北大金研
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徳山 裕司
東北大金研
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米永 一郎
東北大・金研
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仁科 雄一郎
東北大・金研究
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中西 晶子
東北大学金研
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大野 裕
東北大金研
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太子 敏則
東北大金研
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八百 隆文
東北大学学際科学国際高等研究センター
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末沢 正志
東北大金研
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渡辺 明
東北大多元研
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堀 史説
阪府大先端研
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伊勢 秀彰
東北大金研
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大澤 隆亮
東北大金研
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徳本 有紀
東北大金研
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Vanhellemont Jan
Institute for Materials Research, Tohoku University
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太子 敏則
東北大学金属材料研究所
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太子 敏則
信州大学教育学部
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末澤 正志
東北大学金属材料研究所
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金田 寛
富士通ULSI開発部
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八百 隆文
JASRI
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本田 達也
東北大金研
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八百 隆文
東北大金研
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山口 貞衛
千葉工業大学工学部
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田中 一弘
東北大・金研
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松井 聡
東北大・金研
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本田 達也
東北大・金研
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河裾 厚男
東北大・金研
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長谷川 雅幸
東北大・金研
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山口 貞衛
東北大・金研
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関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
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関口 隆史
物材機構
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池田 賢司
東北大・金研
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大野 裕
東北大学金属材料研究所
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徳本 有紀
東北大学金属材料研究所
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伊藤 俊
東北大学金属材料研究所
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金田 寛
富士通研
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渡辺 賢
東北大・金研
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渡辺 明
反応研
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仁科 雄一郎
東北大学金属材料研究所
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関口 隆史
物材研
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関口 隆史
東北大理
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関口 隆史
東北大・金研
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関口 隆史
金属材料研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センターグループ
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関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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大嶋 隆一郎
大阪ニュークリアサイエンス協会
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干川 圭吾
信州大学教育学部
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田中 一弘
東北大金研
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牧野 久雄
高知工科大学 総合研究所 マテリアルデザインセンター
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牧野 久雄
東北大金研
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郭 麗偉
東北大金研
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干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
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金田 寛
富士通 Ulsi開発部
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Yoshida N
Institute For Materials Research Tohoku University
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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高田 康生
大府大・先端研
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玉野 拓也
大府大・先端研
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谷口 良一
大府大・先端研
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堀 史説
大府大・先端研
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大嶋 隆一郎
大府大・先端研
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Vanhellemont Jan
Institute For Materials Research Tohoku University
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粕谷 厚生
東北大学際
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伊藤 俊
東北大・金研
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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大嶋 隆一郎
大阪大学基礎工学部
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Nishina Yuichiro
Institute Of Materials Resesrch Tohoku University
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Oshima R
Osaka Univ. Toyonaka Jpn
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Oshima R
Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn
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干川 圭吾
信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
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粕谷 厚生
学際センター
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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高橋 亨
東北大・金研
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干川 圭吾
信州大教育
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太子 敏則
信州大教育
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干川 圭吾
信州大
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中西 晶子
東北大金研
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太子 敏則
信州大学工学部
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斎藤 峯雄
日電情セ
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金田 博
富士通研
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大野 裕
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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Okigawa Yuki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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大澤 隆亨
東北大学金属材料研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
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Watanabe A
Univ. Tokyo Tokyo
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米永 一郎
東北大金属材料研究所
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仁科 雄一郎
東北大・金研
著作論文
- 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 29p-YC-10 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムの励起スペクトル
- 29p-YC-9 変形したSiGe混晶のフォトルミネッセンス
- 28p-P-13 シリコンを高濃度添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
- 28p-P-4 FZ_Siにおける電子線照射欠陥の回復機構
- 12p-DK-12 熱処理したボロン添加砒化ガリウムの光励起及び熱回復
- 24pY-1 強く補償したゲルマニウム添加砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
- 22aPS-70 スピネル型Mn酸化物薄膜の赤外及びラマン散乱
- 17pTG-9 シリコン中の水素・点欠陥複合体濃度の電子照射温度依存性
- 直接貼り合わせ法によって形成したSiウエハの人工界面の透過電顕観察
- 17pTG-10 電子照射した水素ドープCZ-Siの焼鈍挙動
- 29pYC-9 水素添加CXシリコンの電子照射誘起点欠陥-不純物複合体
- 19pXB-3 シリコン結晶中の単原子空孔 : 後藤らの論文へのコメント(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 31aYG-10 p 型シリコン結晶の電子照射誘起点欠陥による光吸収
- 水素を利用したシリコン結晶中のワトキンスの置換反応の研究 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
- 17pTG-8 水素ガス中加熱急冷法によるシリコン中の原子空孔形成エネルギーの研究
- 24aY-1 シリコン中の水素による光吸収スペクトルの温度依存性
- 31a-ZA-6 シリコン中の水素・アクセプター対による光吸収
- 21pXA-5 光吸収法によるワトキンスの置換反応の研究
- 28aXT-8 シリコン中のボロンの拡散機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 21pXA-8 シリコン中の原子空孔形成エネルギーの不純物依存性
- 31aYG-9 熱処理した CZ.Si の電子照射点欠陥
- 29pYC-8 電子照射した水素添加シリコン中の水素一点欠陥複合体
- 28pYC-5 Si中の不純物対の再結合促進解離反応
- 26aYL-6 シリコン中のH_2
- 26aYL-5 シリコン中の水素・点欠陥複合体
- 3a-M-4 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
- 27p-N-3 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
- 22aGQ-6 不純物添加シリコン結晶中の原子空孔の形成エネルギー(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24a-T-6 砒化ガリウム中のドナー・アクセプター対による発光
- 7aSK-2 電子照射したシリコン中の原子空孔関連複合体濃度のリン濃度依存性(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 25pWE-11 電子照射したn型シリコンの異常光吸収スペクトル(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))