28p-P-4 FZ_Siにおける電子線照射欠陥の回復機構

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1994-03-16

著者

• 山口 貞衛

  千葉工業大学工学部

• 角野 浩二

  新日鐵・技術開発

• 末澤 正志

  東北大・金研

• 角野 浩二

  東北大・金研

• 河裾 厚男

  東北大・金研

• 長谷川 雅幸

  東北大・金研

• 山口 貞衛

  東北大・金研

関連論文

• 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 表面研磨したチタニウム表層の構造解析
• 27a-YP-13 プロトン導電性ペロプスカイト型酸化物の電気伝導
• 27a-YP-11 BaCe_Y_XO_3(x=0,0.05,0.1)の中性子回折
• 30a-YG-11 ペロブスカイト型酸化物中の水素イオンの電位勾配による移動
• 7p-G-5 SrCeO_3中の(重)水素イオンの電位勾配による移動(II)
• 1p-M-8 GeSiの強度特性
• 31a-YC-3 シリコン中の酸素・水素対による光吸収
• 31a-YC-2 シリコン中の水素・酸素・原子空孔複合体の形成過程
• 29p-YC-10 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムの励起スペクトル
• 29p-YC-9 変形したSiGe混晶のフォトルミネッセンス
• 29p-YC-7 シリコン中の鉄・ホウ素対の光誘起反応
• 4p-YG-7 Si-Geバルク単結晶の育成とフォトルミネッセンスによる評価
• 4a-YG-4 シリコン中の鉄・アクセプター対再結合促進欠陥反応
• 4a-YG-3 シリコンへのエルビウム添加
• 4a-YG-2 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 29p-P-6 電子ビーム励起による半導体の欠陥評価 : CL, EBIC, SDLTS
• 28p-P-13 シリコンを高濃度添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 28p-P-11 変形したシリコン結晶中からのD-バンド発光と遷移金属汚染
• 28p-P-4 FZ_Siにおける電子線照射欠陥の回復機構
• 14a-A-5 電子線照射により原子複空孔を導入したSiの陽電子消滅2次元角相関
• 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
• 13a-DK-4 Si中の複原子空孔に起因する赤外吸収
• 12p-DK-12 熱処理したボロン添加砒化ガリウムの光励起及び熱回復
• 12p-DK-2 シリコン中の転位とDバンド発光
• 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
• 8p-S-9 陽電子消滅法による石英ガラス、メタミクトガラス、結晶石英の構造と照射欠陥の研究
• 平滑加工チタニウムの表層解析とガス放出特性の相関
• パルス冷中性子小角散乱による合金相分離初期過程の研究 : 特に中心組成のFe_Cr_について(III新しい実験,相転移における秩序形成過程の動力学,科研費研究会報告)
• 13a-B-11 TiO_侵入型合金のSRO
• 28a-R-2 中性子小角散乱によるFeCrのスピノーダル分解の研究 III
• 24pY-1 強く補償したゲルマニウム添加砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 22aPS-70 スピネル型Mn酸化物薄膜の赤外及びラマン散乱
• 3a-Q-9 バナジウム中の水素の酸素不純物による捕捉
• 11p-G-4 Al合金のイオンビーム・ミキシングII
• 30a-SA-10 Al合金のイオンビーム・ミキシング
• 3a-SH-11 2元多層膜のイオンビーム・ミキシング
• 30a-SA-9 腐食膜のイオンビーム解析
• VD_の短範囲規則構造(合金の相変態とその前駆現象,科研費研究会報告)
• 2p-UA-7 VD_における重水素の短範囲規則
• 30p-D-3 ZrO_侵入型合金のSRO
• 28a-T-11 C_/C_、HOPG、ガラス状炭素中の陽電子消滅
• 28a-ZP-3 C60/C70, HOPG等の炭素材料中の陽電子消滅
• 29p-ZE-6 バナジウム・ボイド中のポジトロニウム : 水素、炭素、酸素不純物の効果
• 2p-YC-7 中性子、電子およびレーザー照射した石英の陽電子消滅II
• 29a-YG-10 中性子、電子およびレーザ照射した石英の陽電子消滅
• 30p-E-15 石英ガラス中の照射欠陥による陽電子捕獲
• 石英ガラス中の放射線照射によって生ずる陽電子捕獲欠陥
• 陽電子消滅およびESR測定法による石英ガラス中の照射欠陥の研究
• 29p-B-16 バナジュウム・ポイド中に形成するポジトロニュムの低温反応
• 17pTG-9 シリコン中の水素・点欠陥複合体濃度の電子照射温度依存性
• 30a-YK-8 陽電子消滅および電子スピン共鳴法による石英ガラスならびに水晶中の照射欠陥
• Positron annihilation 2D-ACAR of perfect crystals and vacancies in Ge, Si and diamond
• Cu-Au系規則合金のNMR
• 27p-H-8 Si中の複原子空孔の陽電子消滅法を用いた研究
• 27a-ZN-4 塑性変形した半導体の陽電子消滅
• 28a-K-10 陽電子消滅法によるSi中の複原子空孔の研究
• 直接貼り合わせ法によって形成したSiウエハの人工界面の透過電顕観察
• 25p-A-8 バナジウム・ポイド中のポジトロニウム : 不純物酸素・炭素等の効果
• 4p-Z-6 変形したInP中の陽電子消滅
• 24p-W-10 PtMnSb/CuMnSb人工格子のNMRと相互拡散
• 2p-RL-2 ERD法による水素の表面再結合係数の測定
• 30a-SA-8 反跳粒子検出法によるH,D検出の基礎実験
• WSi_x-CVDプロセスの反応機構 : WF_6/SiH_4,WF_6/Si_2H_6反応系の比較
• H_2, SiH_4, Si_2H_6添加によるDCS-WSix-CVDプロセスの改善
• 29a-YB-4 SrCeO_3中の(重)水素イオンの電位勾配による移動
• 17pTG-10 電子照射した水素ドープCZ-Siの焼鈍挙動
• 29pYC-9 水素添加CXシリコンの電子照射誘起点欠陥-不純物複合体
• 19pXB-3 シリコン結晶中の単原子空孔 : 後藤らの論文へのコメント(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• イオンビ-ム照射による金属薄膜の改質 (特集 イオンビ-ム加工技術の開発)
• 31aYG-10 p 型シリコン結晶の電子照射誘起点欠陥による光吸収
• 減圧CVD法により成膜したアモルファスB-N-C膜の残留応力に対するアニ-ル効果
• 25p-A-7 セピオライト単結晶繊維中のポジトロニウムII
• セビオライト単結晶繊維中のポジトロニウム
• 高速イオンビームによる材料のキャラクタリゼーション
• 31a-X-7 Al-Cu 合金のNMR
• 銅合金の構造相転移と63Cu核磁気共鳴
• 浮遊帯溶融法を用いて作製した炭化チタンの重水素の保持・放出特性に関する研究
• 水素を利用したシリコン結晶中のワトキンスの置換反応の研究 (放射線とイオンビームによる物質構造の研究と改質・合成)
• 17pTG-8 水素ガス中加熱急冷法によるシリコン中の原子空孔形成エネルギーの研究
• 24aY-1 シリコン中の水素による光吸収スペクトルの温度依存性
• 31a-ZA-6 シリコン中の水素・アクセプター対による光吸収
• 5p-B1-9 Mo/Si多層膜の超伝導遷移温度における濃度modulation効果
• 28a-R-6 Mo/Si多層膜の超伝導 II
• 14a-A-4 照射された結晶および非晶質石英中の陽電子消滅
• 29p-PS-39 岩塩へき開面上のTiおよびV蒸着膜の成長初期過程
• 25a-B-7 岩塩下地上におけるバナジウム蒸着膜の成長と構造
• 4a-Q-8 岩塩下地上におけるチタン蒸着膜の成長と構造
• 21pXA-5 光吸収法によるワトキンスの置換反応の研究
• 28aXT-8 シリコン中のボロンの拡散機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 21pXA-8 シリコン中の原子空孔形成エネルギーの不純物依存性
• 31aYG-9 熱処理した CZ.Si の電子照射点欠陥
• 29pYC-8 電子照射した水素添加シリコン中の水素一点欠陥複合体
• 28pYC-5 Si中の不純物対の再結合促進解離反応
• 26aYL-6 シリコン中のH_2
• 26aYL-5 シリコン中の水素・点欠陥複合体
• 3a-M-4 ゲルマニウムを添加した砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
• 4p-E4-6 バナジウム・ボイド中ポジロニウムの低温反応
• 3p-L-4 水素イオン照射における金属薄膜内水素濃度分布のその場観察
• 反跳粒子検出法による固体内軽元素分析

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク