H_2, SiH_4, Si_2H_6添加によるDCS-WSix-CVDプロセスの改善
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概要
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- 1995-05-25
著者
-
霜垣 幸浩
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
永田 晋二
東北大学 金属材料研究所
-
江頭 靖幸
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
永田 晋二
東北大学金属材料研究所
-
山口 貞衛
千葉工業大学工学部
-
永田 晋二
東北大金研
-
斎藤 丈靖
九州大学 工学部
-
高広 克己
東北大学金属材料研究所
-
小宮山 宏
東京大学
-
斉藤 丈靖
東京大学
-
霜垣 幸浩
東京大学
-
江頭 靖幸
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻
-
霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
-
菅原 活郎
日本大学工学部情報工学科
-
山口 貞衛
東北大学 金属材料研究所
-
斎藤 丈靖
東京大学
-
大久保 頼聡
東京大学工学部化学システム工学科
-
福村 昌己
東京大学
-
高広 克己
京都工芸繊維大学工芸学部
-
江頭 靖幸
大阪大 大学院基礎工学研究科
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