霜垣 幸浩 | Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
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概要
関連著者
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霜垣 幸浩
Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn
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霜垣 幸浩
東京大学
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霜垣 幸浩
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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杉山 正和
東大 大学院
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杉山 正和
東京大学大学院総合研究機構
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杉山 正和
東京大学大学院 工学系研究科
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霜垣 幸浩
東京大学大学院化学システム工学専攻
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杉山 正和
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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江頭 靖幸
大阪大学大学院基礎工学研究科
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百瀬 健
東京大学
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江頭 靖幸
大阪大 大学院基礎工学研究科
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百瀬 健
東京大学大学院工学系研究科
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霜垣 幸浩
東京大学工学系研究科
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菅原 活郎
日本大学工学部情報工学科
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中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
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小宮山 宏
東京大学
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中野 義昭
東京大学先端研
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斎藤 丈靖
九州大学 工学部
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小宮山 宏
東京大学工学部化学システム工学科
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斉藤 丈靖
東京大学
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小宮山 宏
東京大学工学部
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江頭 靖幸
東京大学工学部
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小宮山 宏
東大・工
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小宮山 宏
東大
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杉山 正和
東京大学
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山田 英雄
BEANSプロジェクト3D BEANSセンター
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塩田 倫也
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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富田 祐貴
東京大学大学院工学系研究科
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蔡 容基
東京大学大学院工学系研究科
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山田 英雄
Beans研究所
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脇 一太郎
東京大学先端科学技術研究センター
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永田 晋二
東北大学金属材料研究所
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山口 貞衛
千葉工業大学工学部
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永田 晋二
東北大金研
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野田 優
東大院工
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高広 克己
東北大学金属材料研究所
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小宮山 宏
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
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江頭 靖幸
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学専攻
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百瀬 健
東京大学大学院工学系研究科博士課程
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國重 雅之
日本大学工学部 情報工学科
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斎藤 丈靖
東京大学
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大久保 頼聡
東京大学工学部化学システム工学科
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齊藤 丈靖
東京大学工学部化学システム工学科
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高広 克己
京都工芸繊維大学工芸学部
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香田 忍
名古屋大学大学院工学研究科
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アルーアミン アブドゥッラー
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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櫻井 謙司
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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宋 学良
東京大学先端科学技術研究センター
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イット フーチョン
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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李 寧
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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小林 芳彦
大陽日酸(株)
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筒井 俊雄
鹿児島大学大学院理工学研究科化学生命・化学工学専攻
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アルアミン アブドゥッラー
株式会社KDDI研究所
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アルアミン アブドゥッラー
KDDI研究所
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阿部 英司
東京大学工学系研究科
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永田 晋二
東北大学 金属材料研究所
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高見 誠一
東京大学
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杉山 正和
東京大学工学系研究科
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川原 伸章
(株)デンソー 基礎研究所
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伊藤 直次
宇都宮大学工学部 応用化学科
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李 寧
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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阿部 英司
東京大学大学院工学系研究科
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増田 隆夫
北海道大学大学院工学研究科
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増田 隆夫
京都大学工学部
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草壁 克己
福岡女子大学 人間環境学部 生活環境学科
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北村 康宏
株式会社デンソー
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服部 有
株式会社デンソー
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上嶋 健嗣
東京大学
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小宮山 宏
東大院工
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浅海 一志
デンソー
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川原 伸章
デンソー
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伊藤 直次
物質工学工業技術研究所
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香田 忍
名古屋大学
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宋 学良
東京大学 先端科学技術研究センター
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中野 貴之
東京大学工学系研究科
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白石 文秀
九州工業大学情報工学部
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Chaiyasit Kumtornkittikul
東京大学先端科学技術研究センター
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霜垣 幸浩
東京大学先端科学技術研究センター
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羽路 伸夫
横浜国立大学大学院工学研究院
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中野 義昭
東京大学大学院工学系研究科
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香田 忍
名古屋大工
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山口 貞衛
東北大学 金属材料研究所
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野田 優
東京大学大学院工学系研究科化学システム工学
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増田 隆夫
北海道大学大学院工学研究科有機プロセス工学専攻
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白石 文秀
九州大学バイオアーキテクチャーセンター
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小林 芳彦
大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部
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草壁 克己
九州大学大学院工学研究院 応用化学部門
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羽路 伸夫
横浜国立大学
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梶川 裕矢
東大院工
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津村 猛
東大院工
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土屋 俊博
東大院工
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霜垣 幸浩
東大院工
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平井 里佳
東京大学大学院工学系研究科
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SHIMOGAKI Yukihiro
Department of Materials Engineering, The University of Tokyo
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JUN Keeyoung
Department of Materials Engineering, School of Engineering, University of Tokyo
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斉藤 丈靖
九州大学工学部応用物質化学科
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山口 貞衛
東北大学金属材料研究所
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会田 弘文
東京大学工学部化学システム工学科
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福村 昌己
東京大学
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小宮山 宏
東京大学 大学院 工学研究科 化学システム工学 専攻
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江頭 靖幸
大阪大学大学院 基礎工学研究科 物質創成専攻化学工学領域
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Chaiyasit Kumtornkittikul
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科:科学技術振興事業団crest
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梶川 裕矢
東京大学工学系研究科
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伊藤 直次
宇都宮大学大学院工学研究科物質環境化学専攻
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Jun Keeyoung
Department Of Materials Engineering School Of Engineering University Of Tokyo
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江頭 靖幸
大阪大学
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白石 文秀
九州工業大学
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筒井 俊雄
鹿児島大学工学部
-
筒井 俊雄
鹿児島大学大学院理工学研究科
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草壁 克己
福岡女子大学人間環境学部
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清水 秀治
大陽日酸株式会社
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小山田 浩
東京大学工学部 化学工学科
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増田 隆夫
北海道大学 大学院工学研究院
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清水 秀治
東京大学大学院工学系研究科
-
嶋 絋平
東京大学大学院工学系研究科
-
霜垣 幸浩
東京大学工学部 化学工学科
-
清水 秀治
東京大学大学院工学系研究科:大陽日酸株式会社
-
小林 芳彦
大陽日酸株式会社
-
筒井 俊雄
鹿児島大学
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伊藤 直次
宇都宮大学大学院工学研究科 物質環境化学専攻
著作論文
- 化合物半導体集積光デバイスとドライエッチング技術
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜における酸化剤効果
- MEMS応用に向けた超臨界流体を用いた金属薄膜形成技術の開発
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜の開発
- 超臨界流体を利用した金属薄膜形成技術 (特集 超臨界流体--ここまできた技術開発・応用性)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 超臨界流体を用いたCu薄膜の形成とULSI配線形成への応用 (マテリアルスポット MEMS,半導体,オプトエレクトロニクスにまで可能性を持つ 超臨界流体.超臨界CO2を用いた新しいマテリアル開発のトレンド)
- CVD
- 超臨界流体を用いた電子デバイス用薄膜形成プロセス
- 超臨界二酸化炭素を用いた薄膜形成 (新春特集 ナノテクノロジーのための超臨界流体技術)
- Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価
- 反応工学
- C-4-17 MOVPE 成長 AIN/GaN 多重量子井戸における 1.55μm のサブバンド間遷移
- CVD
- PECVDによる低誘電率層間絶縁膜用a-C:F膜の合成( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- 25aD01 薄膜初期堆積過程におけるCVD成長モード(ナノ粒子・ナノ構造(1),第34回結晶成長国内会議)
- SiH_4/Si_2H_6を用いた選択的シリサイド化によるCu配線酸化防止用CoSi層の形成
- LPCVDの全圧による粉体,膜合成の制御--SiH4とC6H6によるSiCの合成 (CVD) -- (膜・表面処理)
- Effect of Partial Pressure of TiCl_4 and NH_3 on Chemical Vapor Deposition Titanium Nitride (CVD-TiN) Film Cl Content and Electrical Resistivity
- 3次元コンピュータシミュレーションを利用したCVD装置設計 - ガスアウトレットの効果 -
- WSix-CVDプロセスの3次元装置シミュレーション
- 1. CVD レビュー序論
- WSix薄膜CVDプロセスの反応機構解析と制御
- TiCl_4/NH_3を原料としたTiN薄膜CVD合成の反応機構
- WSi_x-CVDプロセスの反応機構 : WF_6/SiH_4,WF_6/Si_2H_6反応系の比較
- WF_6/Si_2H_6によるWSi_xブランケットCVDのモデリングとシミュレーション
- H_2, SiH_4, Si_2H_6添加によるDCS-WSix-CVDプロセスの改善
- CVD技術の最近の動向 (CVD技術の最前線)
- 超微粒子沈着CVDによるTiO_2膜の高速成膜(2. 気相反応法)(新技術によるセラミックスの合成と評価(I))
- CVD法における反応速度論の現状と化学工学的課題
- LPCVDの全圧による粉体・膜合成の制御 : SiH4とC6H6によるSiCの合成
- ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜(配線・実装技術と関連材料技術)