Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価

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概要

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• 2006-12-20

著者

• 中野 義昭

  東京大学先端科学技術研究センター

• 杉山 正和

  東大 大学院

• 杉山 正和

  東京大学大学院総合研究機構

• 阿部 英司

  東京大学工学系研究科

• 杉山 正和

  東京大学工学系研究科

• 阿部 英司

  東京大学大学院工学系研究科

• 杉山 正和

  東京大学大学院 工学系研究科

• 中野 義昭

  東京大学先端研

• 霜垣 幸浩

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• 中野 貴之

  東京大学工学系研究科

• 霜垣 幸浩

  東京大学工学系研究科

• 霜垣 幸浩

  Univ. Of Tokyo Tokyo Jpn

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