Ce:YIGを有するInGaAsP/InP非対称導波路からなる非相反偏波コンバータ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

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概要

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• 今回我々は非相反偏波コンバータの提案・実証を行った。提案する非相反偏波コンバータはInGaAsP/InPの非対称リブ型導波路の上部に強磁性Ce:YIGを配置した構造を持つ。シミュレーションから、適切な設計を行うことで、0.27mmの素子において、およそ92%の非相反な偏波変換(前進波:TE→TE,後退波:TE→TM)を得られることを予測した。その結果に基づいて実際の素子の作製に成功し、波長1.52μmから1.58μmの光に対し38%の非相反偏波変換を実現した。

• 2009-12-04

著者

• 種村 拓夫

  東京大学先端科学技術研究センター

• 中野 義昭

  東京大学先端科学技術研究センター

• 水本 哲弥

  東京工業大学

• 阿部 健治

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 中野 義昭

  東京大学先端研

• 雨宮 智宏

  東京大学先端科学技術研究センター

• 雨宮 智宏

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 種村 拓夫

  東京大学 先端科学技術研究センター

• 水本 哲弥

  東京工業大学 大学院理工学研究科

• 水本 哲弥

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 水本 哲弥

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 中野 義昭

  東京大学 先端科学技術研究センター

• 種村 拓夫

  東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科電気系工学専攻

• 雨宮 智宏

  東京工業大学

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