雨宮 智宏 | 東京大学先端科学技術研究センター
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概要
関連著者
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雨宮 智宏
東京大学先端科学技術研究センター
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雨宮 智宏
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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Amemiya Tomohiro
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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雨宮 智宏
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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進藤 隆彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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進藤 隆彦
東京工業大学
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高橋 大佑
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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姜 〓〓
東京工業大学電気電子工学専攻
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姜 〓〓
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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清水 大雅
東京農工大学 工学府 電気電子工学専攻
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渥美 裕樹
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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姜 〓〓
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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渥美 裕樹
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センタ
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雨宮 智宏
東京大学 先端科学技術研究センター
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清水 大雅
東京大学 先端科学技術研究センター
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進藤 隆彦
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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高橋 大佑
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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信野 圭祐
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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明賀 聖慈
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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信野 圭祐
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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信野 圭祐
東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻
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中野 義昭
東京大学先端科学技術研究センター
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中野 義昭
東京大学先端研
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田中 雅明
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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横山 正史
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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李 承勲
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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Arai Shigehisa
Department Of Electrical And Electronics Engineering Tokyo Institute Of Technology
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小田 学
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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小口 貴之
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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小田 学
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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小田 学
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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Nishiyama Nobuhiko
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
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ARAI Shigehisa
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology
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NISHIYAMA Nobuhiko
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology
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種村 拓夫
東京大学先端科学技術研究センター
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ハイ ファムナム
東大院工
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白尾 瑞基
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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大江 英輝
東京大学 先端科学技術研究センター
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白尾 瑞基
東京工業大学電気電子工学専攻
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小口 貴之
東京工業大学電気電子工学専攻
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白尾 端基
東京工業大学電気電子工学専攻
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白尾 瑞基
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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白尾 瑞基
東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻
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サイファー 豪志
東京工業大学電気電子工学科
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サイファー 豪士
電気電子工学科
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水本 哲弥
東京工業大学
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田中 雅明
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
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田中 雅明
東京大学工学系研究科, 科学技術振興事業団
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阿部 健治
東京工業大学大学院理工学研究科
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伊藤 瞳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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清水 大雅
東京大学先端科学技術研究センター
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ハイ ファムナム
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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田中 雅明
東京大学工学系電子工学:presto-jst
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YOKOYAMA Masafumi
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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HAI P.
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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種村 拓夫
東京大学 先端科学技術研究センター
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雨宮 智宏
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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水本 哲弥
東京工業大学 大学院理工学研究科
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水本 哲弥
東京工業大学大学院理工学研究科
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水本 哲弥
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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ハイ ファムナム
東京大学 工学系研究科電子工学専攻
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Oda Manabu
Department Of Geriatric Pharmacology And Therapeutics Graduate School Of Pharmaceutical Sciences Chi
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中野 義昭
東京大学 先端科学技術研究センター
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奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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伊藤 瞳
東京工業大学電気電子工学専攻
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長部 亮
東京工業大学電気電子工学専攻
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信野 圭祐
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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Kondo Daisuke
Department Of Chemical Reaction Engineering Nagoya City University
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長部 亮
東京工大
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西山 伸彦
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学電気電子工学科
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西川 佳宏
東京工業大学電気電子工学科
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二見 充輝
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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長部 亮
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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村井 英淳
東京工業大学電気電子工学専攻
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Sato Takashi
Department Of Applied Biochemistry And Food Science Saga University
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種村 拓夫
東京大学先端科学技術研究センター:東京大学工学系研究科電気系工学専攻
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Lee SeungHun
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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Okumura Tadashi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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Ito Hitomi
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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Amemiya Tomohiro
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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Takino Yuta
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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Shirao Mizuki
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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Kang JoonHyun
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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Atsumi Yuki
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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TAKINO Yuta
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology
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SHIRAO Mizuki
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology
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Kondo Daisuke
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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Arai Shigehisa
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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長部 亮
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
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西川 佳宏
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
Oda Manabu
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
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二見 充輝
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
長部 亮
東京工業大学
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横山 正史
東京大学工学系研究科
著作論文
- CS-8-10 非相反損失変化に基づく集積化可能な導波路型光アイソレータ(CS-8. ナノスケール光集積回路技術の展望, エレクトロニクス1)
- C-3-69 導波路型アイソレータのための非相反偏波コンバータの提案(パッシブデバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 強磁性MnAsによる非相反損失にもとづくTMモード導波路型光アイソレータ(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ、MEMS)・光ファイバ、一般)
- 強磁性MnAsによる非相反損失にもとづくTMモード導波路型光アイソレータ
- InGaAs/InAlAs二重結合量子井戸を用いた小型・低電圧電気光学位相変調器(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- InGaAs/InAlAs二重結合量子井戸を用いた小型・低電圧電気光学位相変調器(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- Ce:YIGを有するInGaAsP/InP非対称導波路からなる非相反偏波コンバータ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- Lateral Junction Waveguide-Type Photodiode Grown on Semi-Insulating InP Substrate
- Regrowth Interface Quality Dependence on Thermal Cleaning of AlGaInAs/InP Buried-Heterostructure Lasers
- a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- メタフォトニクス素子 : 導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-4-27 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-2-5 メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定(CS-2.メタマテリアル技術の最新動向-材料設計から実用化に向けた取組まで-,シンポジウムセッション)
- C-3-49 BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタの高速信号伝送(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-3-6 オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性(CI-3.接合技術を用いた新規集積光デバイス,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-4-17 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-91 金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の作製評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-39 温度無依存BCB埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-38 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Low-Loss Amorphous Silicon Multilayer Waveguides Vertically Stacked on Silicon-on-Insulator Substrate
- C-3-59 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン細線導波路間のグレーティングカプラ(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)