奥村 忠嗣 | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

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概要

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関連著者

• 荒井 滋久

  東京工業大学

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 荒井 滋久

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 丸山 武男

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 丸山 武男

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 丸山 武男

  金沢大学理工研究域

• 西山 伸彦

  東京工業大学

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 西山 伸彦

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 伊藤 瞳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 阪本 真一

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 伊藤 瞳

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 近藤 大介

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 内藤 秀幸

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 大竹 守

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 米澤 英徳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 米澤 英徳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 近藤 大介

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 近藤 大介

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 黒川 宗高

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 白尾 瑞基

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 雨宮 智宏

  東京大学先端科学技術研究センター

• 雨宮 智宏

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 渥美 裕樹

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 黒川 宗高

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 西本 頼史

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 高橋 大佑

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 進藤 隆彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 白尾 瑞基

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 小口 貴之

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 小口 貴之

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 白尾 端基

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 白尾 瑞基

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工大

• 白尾 瑞基

  東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• Amemiya Tomohiro

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• 渥美 裕樹

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 雨宮 智宏

  東京工業大学

• 進藤 隆彦

  東京工業大学

• 長部 亮

  東京工業大学

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著作論文

• エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
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• 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

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