丸山 武男 | 金沢大学理工研究域
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概要
関連著者
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丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
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丸山 武男
金沢大学理工研究域
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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荒井 滋久
東京工業大学
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丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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八木 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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プルームウォンロート タノーム
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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八木 英樹
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
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八木 英樹
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西本 頼史
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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大平 和哉
(株)東芝研究開発センター
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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飯山 宏一
金沢大学理工研究域
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大平 和哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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三浦 幸治
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
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奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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三浦 幸治
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
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ハク アニスル
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:jst-crest
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西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
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阪本 真一
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学
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佐野 琢哉
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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内藤 秀幸
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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佐野 琢哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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佐野 琢哉
東京工業大学大学院理工学研究科物理学専攻
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丸山 武男
金沢大学大学院 自然科学研究科
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
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稲本 慎
金沢大学大学院自然科学研究科
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飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
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松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学
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大平 圭介
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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松村 英樹
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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大竹 守
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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米澤 英徳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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大平 圭介
北陸先端科学技術大学院
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米澤 英徳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
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稲本 慎
金沢大学理工研究域
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乙坂 英志
金沢大学大学院自然科学研究科
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大平 圭介
北陸先端科学技術大学院大学
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吉田 正裕
東大物性研
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秋山 英文
東大物性研
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伊藤 弘毅
東北大院理:jst-crest
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伊藤 弘毅
東大物性研
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Plumwongrot D.
CREST(JST)
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丸山 武男
CREST(JST)
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荒井 滋久
CREST(JST)
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ブルームウォンロート タノーム
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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松井 慎一郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報工学専攻
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小林 琢央
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報工学専攻
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Plumwongrot D.
Crest(jst):東工大量子ナノセンター
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稲本 慎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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河原 健志
金沢大学大学院自然科学研究科
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北村 広美
金沢大学理工研究域
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佐々木 香苗
金沢大学理工研究域
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石田 光正
金沢大学理工研究域
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江渕 真伍
金沢大学大学院自然科学研究科
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西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
著作論文
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- MEMSを用いた方向性結合器型光スイッチング素子の有限要素法解析(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- MEMSを位相制御器としたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- MEMSを位相制御器としたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-3-26 VCSELを用いた高分解能FMCWセンシングシステム(光記録・計測(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-2-4 シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 18pTA-4 ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP単一量子細線の低温発光分光(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- アモルファスシリコン光導電素子の周波数応答(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 多結晶シリコン光導電素子の周波数応答(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 非晶質PETを用いた低損失有機光導波路(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)