歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
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概要
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k・p法を用いて、歪み緩和を考慮に入れた圧縮歪GaInAsP量子細線構造のバンド構造解析を行い、バリア層に引張歪みを導入した歪み補償効果と、多層量子細線構造の影響を調べた。この方法を用いることで、実験で得られているPLスペクトルのブルーシフト値の細線幅依存性をフィッティングパラメータを用いることなく説明することができた。このバンド構造の結果を用いて圧縮歪量子細線の自然放出光スペクトルを歪み量や多重に積層された細線の影響を考慮に入れて解析した。そして活性層の圧縮歪み量、バリア層の引張歪み量、細線幅や多重量子井戸のバリア歪み量によっては細線に対して垂直方向成分が強くなった。この結果は歪み緩和によるバンドミキシングによって説明できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-27
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
ハク アニスル
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:jst-crest
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
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