荒井 滋久 | 東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

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概要

• 同名の論文著者
• 東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻の論文著者

関連著者

• 荒井 滋久

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学

• 西山 伸彦

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 荒井 滋久

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 丸山 武男

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 丸山 武男

  金沢大学理工研究域

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 丸山 武男

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 進藤 隆彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 進藤 隆彦

  東京工業大学

• 雨宮 智宏

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 雨宮 智宏

  東京工業大学

• 高橋 大佑

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 雨宮 智宏

  東京大学先端科学技術研究センター

• Amemiya Tomohiro

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• 八木 英樹

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 八木 英樹

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 進藤 隆彦

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 八木 英樹

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構

• 八木 英樹

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 高橋 大佑

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 田村 茂雄

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 田村 茂雄

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 李 承勲

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 大平 和哉

  (株)東芝研究開発センター

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 大平 和哉

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 渥美 裕樹

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• プルームウォンロート タノーム

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 渥美 裕樹

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• ハク アニスル

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:jst-crest

• 西本 頼史

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 白尾 瑞基

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 白尾 端基

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 阪本 真一

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 田島 典明

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 田島 典明

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 三浦 幸治

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 姜 〓〓

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 三浦 幸治

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 佐野 琢哉

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 佐野 琢哉

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 佐野 琢哉

  東京工業大学大学院理工学研究科物理学専攻

• 小田 学

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 小田 学

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 小田 学

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• Parekh D.

  カリフォルニア大学バークレー校

• Yang W.

  カリフォルニア大学バークレー校

• Guo P.

  カリフォルニア大学バークレー校

• Chang-Hasnain C.J.

  カリフォルニア大学バークレー校

• 荒井 滋久

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 白尾 瑞基

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 内藤 秀幸

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 岡本 健志

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 山崎 達也

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• PAREKH Devang

  カリフォルニア大学バークレー校

• YANG Weijian

  カリフォルニア大学バークレー校

• GUO Peng

  カリフォルニア大学バークレー校

• CHANG-HASNAIN Connie

  カリフォルニア大学バークレー校

• 岡本 健志

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 信野 圭祐

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 明賀 聖慈

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• Chang-hasnain Connie

  カリフォルニア大バークレー校

• Yang Weijian

  カリフォルニア大バークレー校

• 信野 圭祐

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 佐藤 憲明

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 佐藤 孝司

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 白尾 瑞基

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 佐藤 孝司

  東京工業大学 電気電子工学専攻

• 信野 圭祐

  東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻

• 白尾 瑞基

  東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻

• 伊藤 瞳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 布谷 伸浩

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 伊藤 瞳

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 小口 貴之

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 岡本 健志

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 近藤 大介

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 村主 賢悟

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 大竹 守

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 米澤 英徳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 米澤 英徳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 岡本 健志

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 近藤 大介

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 小野寺 祐一

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 村山 智則

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 広瀬 誠人

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 村主 賢悟

  古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会

• 近藤 大介

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 小口 貴之

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工大

• 長部 亮

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工業大学

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 吉田 正裕

  東大物性研

• 秋山 英文

  東大物性研

• 横山 亮

  東京工業大学物理電子システム創造専攻

• 黒川 宗高

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 井上 敬太

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 黒川 宗高

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 伊藤 弘毅

  東北大院理:jst-crest

• 李 承勲

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 勘定 寛

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 金 孝艇

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• Asada Masahiro

  The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te

• 西山 信彦

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  理工学研究科電気電子工学専攻

• ウラ サイド・マムド

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• デイビス カイル・スペンサー

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 伊藤 弘毅

  東大物性研

• Plumwongrot D.

  CREST(JST)

• 丸山 武男

  CREST(JST)

• 荒井 滋久

  CREST(JST)

• ブルームウォンロート タノーム

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 沼尻 祐貴

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 尾野村 章弘

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• Plumwongrot D.

  Crest(jst):東工大量子ナノセンター

• 前田 泰奈

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 李 智恩

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 信野 圭祐

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 西川 佳宏

  東京工業大学電気電子工学科

• 林 佑介

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 二見 充輝

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 村井 英淳

  東京工業大学電気電子工学専攻

• サイファー 豪志

  東京工業大学電気電子工学科

• 福田 渓太

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 西川 佳宏

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 二見 充輝

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 福田 渓太

  東京工業大学

• サイファー 豪士

  電気電子工学科

• 李 智恩

  東京工業大学

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著作論文

• エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの進展 : 高効率・低しきい値動作と強戻り光耐性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
• 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
• C-3-7 BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
• CK-1-8 シリコン上レーザ実現への展望(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
• 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 光通信帯における左手系光制御素子の設計(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• C-4-34 細線状活性層を有する分布反射型レーザの反射戻り光耐性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-29 細線状活性層を有する分布反射型レーザの直接変調特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• CI-2-4 シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• 18pTA-4 ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP単一量子細線の低温発光分光(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• GaInAsP/InP極微構造の低損傷形成による低電流歪補償量子細線DFBレーザ(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
• 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• 1540nm波長帯GaInAsP/InP歪補償量子細線DFBレーザの低しきい値電流動作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• ドライエッチングと再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザの室温連続発振(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
• テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 垂直回折格子を有する1.5μm波長分布反射型レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
• 歪量子細線構造のバンド構造と偏光異方性解析(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
• CT-1-2 SOI基板上のアクティブ光デバイス(CT-1.ヘテロジニアス・インテグレーション技術の現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CI-1-6 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
• a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• BCB埋め込みSi細線スロット導波路を用いた温度無依存波長フィルタ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• メタフォトニクス素子 : 導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
• C-4-27 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-2-5 メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定(CS-2.メタマテリアル技術の最新動向-材料設計から実用化に向けた取組まで-,シンポジウムセッション)
• C-3-49 BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタの高速信号伝送(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 光エレクトロニクス研究--新時代のブレークスルーに向けて (特集 光エレクトロニクスの現状と将来)
• CI-3-6 オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性(CI-3.接合技術を用いた新規集積光デバイス,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• C-3-50 オンチップ光配線に向けた光導波路作製(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• C-4-17 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-91 金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の作製評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-39 温度無依存BCB埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-38 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
• 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)

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