アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
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概要
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LSIの高速化の限界を乗り越えるため、シリコンフォトニクスを用いた光インターコネクト技術が注目を浴びている。アモルファスシリコン(a-Si)はplasma-enhanced chemical-vapor-deposition(PECVD)法により300℃程度と比較的低温での成膜が可能であり、LSIの電子回路とバックエンドプロセスでの融合が容易である。また、a-SiとSiO_2の積層構造は高密度集積回路としても有効である。本研究ではSOI基板上に3層までの多層導波路を作製・評価することにより、a-Si導波路の伝搬損失と表面及び側壁粗さとの関係を明らかにし、材料損失ではなく粗さの大きさに強く影響を受けることを示した。さらに両者の粗さを低減させることにより、3層目のa-Si導波路でも3.7dB/cmの低損失化を実現した。
- 2011-12-09
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
渥美 裕樹
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
姜 〓〓
東京工業大学電気電子工学専攻
-
小田 学
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
姜 〓〓
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
小田 学
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
姜 〓〓
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
小田 学
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
渥美 裕樹
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学
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