1.55μm波長帯半導体/ベンゾシクロブテン(BCB)分布反射器(DBR)レーザ
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概要
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5λ/4幅の半導体と3λ/4幅のBCB(ベンゾシクロブテン)周期構造を分布反射器(DBR)とする1.55μm波長帯GaInAsPレーザを作製した結果、均一性に優れた低しきい値・高効率特性を得ることができた。共振器長160μm、周期数15である片端DBRレーザにおいて、しきい値電流7.2mA、外部微分量子効率50%が得られた。しきい値電流の共振器長依存性から、このDBR構造の反射率は95%と見積もられた。また、1500時間以上の室温連続動作寿命を確認した。さらに、複合共振器構造化することによって副モード抑圧化(SMSR)36dB(I=1.8I_<th>)の単一モード動作を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-19
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
ラジュ モティ
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
ウィドマン ヨルク
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
海老原 幸司
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
松井 研輔
日立電線(株)アドバンス技術研究所
-
阪 義和
東京工業大学工学部
-
ラジュ モティ・マダン
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
松井 研輔
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
阪 義和
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
-
海老原 幸司
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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