1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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従来の光源である半導体レーザダイオード(LD)を超える高速動作が期待される長波長帯トランジスタレーザ(TL)に関する報告を行う。まず、AlGaInAs/InP系量子井戸活性層及び埋め込みヘテロ構造を有する1.3μm波長帯pnp型TLを作製し、TLしきい値エミッタ電流値17mAにおいて長波長帯TLとして初となる室温連続発振を達成した。また、TL特有の誘導放出に伴う電流利得抑制効果を観測することに成功した。また、npn型TL作製においては室温パルス発振を達成し、しきい値ベース電流18 mA、しきい値エミッタ電流150 mAを得た。また、しきい値における電流利得は7.3と見積もられ、キャリア引き抜きと発振動作を同時に得る事に成功した。
- 2011-08-18
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
白尾 瑞基
東京工業大学電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
佐藤 憲明
東京工業大学電気電子工学専攻
-
白尾 端基
東京工業大学電気電子工学専攻
-
佐藤 孝司
東京工業大学電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
佐藤 孝司
東京工業大学 電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学
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