直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)

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概要

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• SOI基板に圧縮歪1%単層量子井戸GaInAsP/InP薄膜の直接貼り付けを行った。水素雰囲気中で300〜450℃の温度範囲において圧着することにより、貼付前後でPL強度およびスペクトルに変化のない低損傷界面が得られることを明らかにした。つぎに、この方法を用いてSOI基板上にBH-DFB半導体薄膜レーザを作製し、光励起により室温連続発振を実現した。しきい値励起光強度2.8mW、しきい値の2倍の励起強度において副モード抑圧比28dBが得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-12-01

著者

• 荒井 滋久

  東京工業大学

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 荒井 滋久

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 阪本 真一

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 丸山 武男

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 西本 頼史

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 丸山 武男

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 丸山 武男

  金沢大学理工研究域

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

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