凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
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概要
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半導体薄膜活性層分離型DFBレーザは、光閉じ込め係数ζと屈折率結合係数Kの増大により、低しきい値化及び短共振器化が期待できる。今回、屈折率結合の向上のため、半導体薄膜に凹凸形状を装荷した狭ストライプ半導体薄膜レーザを作製した。ストライプ幅W_s=0.6μmの素子において明確なストップバント幅68nmを確認することが出来、屈折率結合係数K_1=2950cm^<-1>が見積もられた。又、同一の元基板を用いて、埋め込みの違う2種類の素子を作製した結果、共振器長依存性に明確な差異を確認することが出来、共振器長を短くしても十分な反射率が得られていることを示した。共振器長L=80μmに設計した素子において最低しきい値パワーはP_<th>=0.34mW、しきい値の2倍において副モード抑圧比(SMSR)は35dB以上が得られた。
- 2006-06-23
著者
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
内藤 秀幸
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
阪本 真一
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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