内藤 秀幸 | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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荒井 滋久
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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内藤 秀幸
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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阪本 真一
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
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丸山 武男
金沢大学理工研究域
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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大竹 守
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
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西山 伸彦
東京工業大学
著作論文
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)