西山 伸彦 | 東京工業大学

スポンサーリンク

概要

• 西山 伸彦の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 東京工業大学の論文著者

関連著者

• 西山 伸彦

  東京工業大学

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 荒井 滋久

  東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 荒井 滋久

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 西山 伸彦

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 西山 伸彦

  Corning Incorporated

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊賀 健一

  東京工業大学

• 雨宮 智宏

  東京工業大学

• 伊賀 健一

  東京工業大学精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 進藤 隆彦

  東京工業大学

• 進藤 隆彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 雨宮 智宏

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• Amemiya Tomohiro

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• 雨宮 智宏

  東京大学先端科学技術研究センター

• 渥美 裕樹

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 品田 聡

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 荒井 昌和

  東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター

• 渥美 裕樹

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 高橋 大佑

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 進藤 隆彦

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 高橋 大佑

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 羽鳥 伸明

  東京工業大学精密工学研究所

• 李 承勲

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 水谷 章成

  東京工業大学精密工学研究所

• 土居 恭平

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 二見 充輝

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 二見 充輝

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 松谷 晃宏

  東京工業大学 精密工学研究所

• 白尾 瑞基

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 白尾 端基

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 松谷 晃宏

  東京工業大学

• 姜 〓〓

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 奥村 忠嗣

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 姜 〓〓

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 丸山 武男

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 田島 典明

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 田島 典明

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 小田 学

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 小田 学

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 荒井 滋久

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 小田 学

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 林 侑介

  東京工業大学

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 鈴木 耕一

  東京工業大学精密工学研究所

• Parekh D.

  カリフォルニア大学バークレー校

• Yang W.

  カリフォルニア大学バークレー校

• Guo P.

  カリフォルニア大学バークレー校

• Chang-Hasnain C.J.

  カリフォルニア大学バークレー校

• 丸山 武男

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 丸山 武男

  金沢大学理工研究域

• 宮本 智之

  東京工業大学

• 佐藤 憲明

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 林 佑介

  東京工業大学工学部電気電子工学科

• 土居 恭平

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所

• 白尾 瑞基

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 伊賀 健一

  東工大精研

• 天野 建

  東京工業大学精密工学研究所

• 米澤 英徳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 天野 建

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• PAREKH Devang

  カリフォルニア大学バークレー校

• YANG Weijian

  カリフォルニア大学バークレー校

• GUO Peng

  カリフォルニア大学バークレー校

• CHANG-HASNAIN Connie

  カリフォルニア大学バークレー校

• 信野 圭祐

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 長部 亮

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 明賀 聖慈

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• Chang-hasnain Connie

  カリフォルニア大バークレー校

• Yang Weijian

  カリフォルニア大バークレー校

• 信野 圭祐

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 佐藤 孝司

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 白尾 瑞基

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 佐藤 孝司

  東京工業大学 電気電子工学専攻

• 信野 圭祐

  東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻

• 白尾 瑞基

  東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻

• 伊藤 瞳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 伊藤 瞳

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 李 智恩

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 小口 貴之

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 福田 渓太

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 山原 佳晃

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 近藤 大介

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 牧野 茂樹

  株式会社日立製作所中央研究所

• 内藤 秀幸

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 阪本 真一

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 大竹 守

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 影山 健生

  東京工業大学精密工学研究所

• 牧野 茂樹

  東京工業大学精密工学研究所

• 安土 宗近

  東京工業大学・マイクロシステム研究センター

• 影山 健生

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 米澤 英徳

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• 雨宮 智宏

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 近藤 大介

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 影山 優生

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 安土 宗近

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 牧野 茂樹

  東京工業大学 精密工学研究所

• 近藤 大介

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻

• 小口 貴之

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 長部 亮

  東京工大

• 長部 亮

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• サイファー 豪志

  東京工業大学電気電子工学科

• 進藤 隆彦

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 小林 孝嘉

  東京大学理学系研究科

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 大山 将也

  横河電機株式会社技術開発本部

• 吉村 政志

  大阪大学大学院工学研究科

• 玉木 裕介

  理化学研究所レーザー物理工学研究室

• 宅間 宏

  日本原子力研究所 光量子科学センター

• 小林 孝嘉

  東京大学 理学部物理学科

• 関川 太郎

  東京大学物性研究所

• 玉木 裕介

  慶應義塾大学 理工学研究科

• 吉村 政志

  大阪大学 工学研究科

• 五神 真

  東京大学大学院 工学系研究科

• 上妻 幹男

  東京大学大学院 相関基礎科学系

• 鳥井 寿夫

  学習院大学 理学部物理

• 板谷 太郎

  電子技術総合研究所 電子デバイス部

• 蒲原 敦彦

  横河電機株式会社

• 手塚 信一郎

  横河電機株式会社

• 後藤 顕也

  東海大学開発工学部情報通信工学科

• 平田 隆昭

  横河電機(株)

• 蒲原 敦彦

  横河電機(株)

• 藤村 直之

  横河電機(株)

• 矢野 哲夫

  横河電機(株)

• 手塚 信一郎

  横河電機(株)

• 齊藤 裕己

  横河電機(株)

• 野田 隆一郎

  横河電機(株)

• 渡辺 哲也

  横河電機株式会社

• 鳥井 寿夫

  学習院大理学部平野研究室

• 香野 花沙鈴

  Corning Incorporated

• 横山 亮

  東京工業大学物理電子システム創造専攻

• 黒川 宗高

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 近藤 崇

  東京工業大学

• 高橋 孝志

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 板谷 太郎

  電子技術総合研究所

• 西山 伸彦

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 井上 敬太

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 黒川 宗高

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻

• Matsutani A.

  東京工業大学 精密工学研究所

• 佐藤 俊一

  (株)リコー 研究開発本部中央研究所

• 軸谷 直人

  (株)リコー 研究開発本部中央研究所

• 李 承勲

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 軸谷 直人

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 渡辺 哲也

  横河電機(株)

• 後藤 顕也

  東海大

• Asada Masahiro

  The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ウラ サイド・マムド

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• デイビス カイル・スペンサー

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 佐藤 俊一

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 沼尻 祐貴

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 石 鐘恩

  Corning Incorporated

• 矢野 哲夫

  横河電機株式会社技術開発本部

• 齊藤 裕己

  横河電機株式会社技術開発本部

• 野田 隆一郎

  横河電機株式会社技術開発本部

• 藤村 直之

  横河電機株式会社技術開発本部

• 平田 隆昭

  横河電機株式会社技術開発本部

• 鳥井 寿夫

  学習院大学 理学部

• 上妻 幹男

  東大院総合久我研究室

• 宅間 宏

  日本原子力研究所

• 本村 典哉

  東京工業大学精密工学研究所

• 西山 伸彦

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 前田 泰奈

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 信野 圭祐

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 古川 則吉

  東京工業大学精密工学研究所

• 荒井 滋久

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 西山 伸彦

  東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学電気電子工学科

• 西川 佳宏

  東京工業大学電気電子工学科

• 佐藤 俊一

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

• 軸谷 直人

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

• 村井 英淳

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 浅田 雅洋

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 西山 伸彦

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 林 侑介

  東京工業大学電気電子工学専攻

• 林 侑介

  東京工業大学工学部 電気電子工学科

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)

• 西川 佳宏

  東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻

• 山原 佳晃

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻

• 土居 恭平

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻

• 雨宮 智宏

  東京工業大学大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 荒井 滋久

  東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 進藤 隆彦

  東京工業大学大学院電気電子工学専攻

• 福田 渓太

  東京工業大学電気電子工学専攻

• カン ジュンヒョン

  東京工業大学

もっと見る 閉じる

著作論文

• CLEO/QELS'99報告
• エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
• OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
• C-3-7 BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
• (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
• SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
• C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
• MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
• (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
• 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
• マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
• マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
• マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
• マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
• C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
• SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• C-4-34 細線状活性層を有する分布反射型レーザの反射戻り光耐性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-29 細線状活性層を有する分布反射型レーザの直接変調特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 50nm位相連続波長掃引可能なSi-MEMS可動ミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• CI-2-4 シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-4-27 InP系長波長帯面発光レーザの現状(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
• 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
• 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
• 金属微小開口をもつ面発光レｰザの近接場解析
• 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
• C-4-11 GaAs(311)B基板上低しきい値InGaAs/GaAs面発光レーザ
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
• MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
• p型デルタドープInGaAs/GaAs量子井戸面発光レーザ
• MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
• p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
• p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
• C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CI-1-6 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
• a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• BCB埋め込みSi細線スロット導波路を用いた温度無依存波長フィルタ(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
• メタフォトニクス素子 : 導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
• C-4-27 金属側壁層を有するプラズモニックDFBレーザの理論解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-2-5 メタマテリアルを有するInP系マッハツェンダー導波路における透磁率変化の推定(CS-2.メタマテリアル技術の最新動向-材料設計から実用化に向けた取組まで-,シンポジウムセッション)
• C-3-49 BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタの高速信号伝送(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• CI-3-6 オンチップ光通信に向けたInP/Si貼り付け技術とその光デバイス特性(CI-3.接合技術を用いた新規集積光デバイス,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• C-3-50 オンチップ光配線に向けた光導波路作製(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• マイクロマシーニングを用いた温度無依存Add/Dropフィルタの検討
• C-4-17 横方向電流注入型半導体薄膜レーザの直接変調帯域の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-91 金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の作製評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-39 温度無依存BCB埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-38 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
• 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ
• SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ
• C-3-62 AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための構造設計(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-59 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン細線導波路間のグレーティングカプラ(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-15 GaInAsP横方向接合型薄膜フォトダイオードの特性評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-93 InP系横接合型半導体薄膜能動光素子と細線光導波路のテーパー結合(導波路解析,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
• GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 窒素プラズマ活性化を用いたIII-V/Si直接貼り付けとそのハイブリッドレーザへの応用(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• オンチップ光回路のためのBCB貼り付けを用いたSi基板上InP薄膜受動素子の特性(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,一般)
• C-3-11 ポリマー埋め込み温度無依存Siスロット波長フィルタの吸湿耐性材料依存性(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-14 高効率多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ(シリコンフォトニクス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-41 金属ミラー付き多層アモルファスシリコン導波路間グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス)
• C-4-26 1.3Nm帯npn-AIGalnAs/InPトランジスタレーザ発光スペクトルの動作条件依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-40 GalnAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のためのテーパー構造設計(C-3.光エレクトロニクス)
• C-4-9 オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの極低消費電力構造の検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク