荒井 昌和 | 東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター

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概要

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関連著者

• 荒井 昌和

  東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 西山 伸彦

  Corning Incorporated

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 伊賀 健一

  東京工業大学

• 西山 伸彦

  東京工業大学

• 伊賀 健一

  東京工業大学精密工学研究所

• 品田 聡

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 松谷 晃宏

  東京工業大学 精密工学研究所

• 松谷 晃宏

  東京工業大学

• 伊賀 健一

  東工大精研

• 羽鳥 伸明

  東京工業大学精密工学研究所

• 水谷 章成

  東京工業大学精密工学研究所

• 天野 建

  東京工業大学精密工学研究所

• 天野 建

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 粕川 秋彦

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部

• 粕川 秋彦

  古河電工

• 安土 宗近

  東京工業大学・マイクロシステム研究センター

• 影山 健生

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 濱 威

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 有賀 麻衣子

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• セティアグン カシミルス

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 池永 賀彦

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 影山 健生

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 熊田 浩仁

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 岩井 則広

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 清水 均

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 西片 一昭

  古河電工横浜研究所半導体研究センター

• 宮本 智之

  東京工業大学

• 影山 優生

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 安土 宗近

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 岩井 則広

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 清水 均

  古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター

• 岩井 則広

  古河電気工業株式会社

• 後藤 顕也

  東海大学開発工学部情報通信工学科

• 近藤 崇

  東京工業大学

• 高橋 孝志

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• Matsutani A.

  東京工業大学 精密工学研究所

• 佐藤 俊一

  (株)リコー 研究開発本部中央研究所

• 軸谷 直人

  (株)リコー 研究開発本部中央研究所

• 小山 二三夫

  東工大精研

• 西山 伸彦

  東工大精研

• 荒井 昌和

  東工大精研

• 軸谷 直人

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 後藤 顕也

  東海大

• 佐藤 俊一

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 佐藤 俊一

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

• 軸谷 直人

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

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著作論文

• (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
• SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
• C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
• MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
• (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
• AlAs選択酸化膜形成技術
• 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
• マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
• マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
• マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
• C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
• 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• SC-6-4 面発光レーザの多波長集積化技術
• C-4-11 GaAs(311)B基板上低しきい値InGaAs/GaAs面発光レーザ
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
• 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性

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