傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
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概要
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面発光レーザの偏波制御を目的としてGaAs(311)B基板上面発光レーザを製作した.その面発光レーザを用いて, 擬似ランダム信号による高速変調実験を行い, 2.5Gbits/sの変調時にも偏波面のゆらぎによる誤り率の大きな劣化は認められないことを明らかにした.また, 10Gbits/s変調時にも直交偏波抑圧比25dB以上を確認した.次に活性領域をさらに縮小し横モードを単一化したデバイスを製作し, 35dB以上の横モード抑圧比, 25dB以上の直交偏波抑圧比を持つ完全単一モード面発光レーザをはじめて実現した.このデバイスによる5GHzの正弦波変調実験を行い, 高速変調時においても35dBの横モード抑圧比と11dBの直交偏波抑圧比を持つことを確認して, 本技術の有用性を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-20
著者
-
品田 聡
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
荒井 昌和
東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
西山 伸彦
Corning Incorporated
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
羽鳥 伸明
東京工業大学精密工学研究所
-
水谷 章成
東京工業大学精密工学研究所
-
西山 伸彦
東京工業大学
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