OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
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概要
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長波長帯面発光レーザの実現を目的として, GaInNAs/GaAs量子井戸をRFラジカルセルを用いた化学ビーム成長(CBE)法により成長している.今回CBE法では初めてのGaInNAs/GaAs量子井戸レーザのレーザ発振動作(パルス駆動)を実現した.波長1.20μmでのGa_<0.65>In_<0.35>N_<0.003>As_<0.997>/GaAs-2層量子井戸レーザにおいて, 長波長帯レーザ最高特性温度(T_0=270K, 25-50℃)を得た.また, 170℃までのパルス発振が得られた.また, 波長1.20μmにおいて10-90℃の温度範囲での連続動作も実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-30
著者
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
牧野 茂樹
株式会社日立製作所中央研究所
-
西山 伸彦
Corning Incorporated
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
影山 健生
東京工業大学精密工学研究所
-
牧野 茂樹
東京工業大学精密工学研究所
-
影山 健生
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
宮本 智之
東京工業大学
-
影山 優生
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
牧野 茂樹
東京工業大学 精密工学研究所
-
西山 伸彦
東京工業大学
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