1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)

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概要

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• 面発光レーザは, 低コスト, 低しきい値, および, 2次元アレイ化可能などの優れた特性を有している.我々はこれまで, 短距離系波長多重方式(WDM)のための大規模波長集積が可能な1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度多波長面発光レーザアレイの研究を進めてきた.今回は, 波長集積面発光レーザアレイのデバイス化へ向けて, 熱のクロストーク抑制の検討, および, 3電極構造による高精度波長制御の検討を行ったので報告する.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-12-02

著者

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 内山 泰宏

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 武田 一隆

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 武田 一隆

  富士ゼロックス株式会社光システム事業開発部

• 宮本 智之

  東京工業大学

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