(311)A面上面発光レーザの発振特性一偏波制御と低しきい値化の実現一
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概要
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MBE法をもちいて、GaAs (311) A面基板上へのInGaAs/GaAs 歪み量子井戸層の成長を最適化することにより、良好な結晶を得ることができた。さらに、通常のエアー・ポスト共振器を有する面発光レーザを作製し、はじめて電流注入による室温連続発振を確認した。最低しきい値電流密度は163 A/cm^2(室温、CW)であり,また、しきい値の2. 7倍まで安定な偏光制御特性が得られた。このとき二方向の偏波面の消光比は12. 7dBであった。これらの結果は、(311)面上の歪み量子井戸構造の特長である高利得および光学的異方性によるものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-18
著者
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
藤田 和久
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
-
高橋 光男
Atr環境適応通信研
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
藤田 和久
ATR光電波通信研究所
-
渡辺 敏英
ATR光電波通信研究所
-
向原 智一
東京工業大学精密光学研究所
-
向原 智一
東京工業大学精密工学研究所
-
高橋 光男
ATR光電波通信研究所
-
Pablo Vaccaro
ATR光電波通信研究所
-
Vaccaro Pablo
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
-
渡辺 敏英
Atr光電波通信研
-
渡辺 敏英
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
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