26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
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概要
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MBE grown (Ga)InAs quantum dots (QDs) have been investigated using an antimony (Sb). The Sb in dots inhibits the formation of QDs. This phenomenon is understood that the Sb suppresses the 3D growth similar to the case for highly strained GaInAs QWs. On the other hand, the GaInAsSb cover layer elongated the PL wavelength and increased the intensity drastically. The result would be promising for QD lasers on a GaAs substrate for use in long-wavelength.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
松浦 哲也
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
松井 康尚
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
宮本 智之
東京工業大学
-
松井 康尚
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学精密工学研究所附属マイクロシステム研究センター
-
太田 征孝
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
松井 康尚
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
古旗 達也
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
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