(311)A面GaAs基板上面発光レーザの出力偏波特性
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概要
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(100)面以外の半導体基板上の量子井戸(QW)は,高利得および光学的異方性を有する等優れた特徴を有することが知られている.我々は,(311)A面GaAs基板上にInGaAs/GaAs歪み量子井戸・面発光レーザを製作し,簡単な素子構造で低しきい値動作および偏波制御が実現可能であることを,実験的に明らかにした.今回,面発光レーザの偏波特性について,基板裏面からの反射光を除去することによって,さらに安定な偏波制御特性が得られることが明らかになったので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
渡辺 敏英
NHK放送技術研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
向原 智一
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
-
高橋 光男
Atr環境適応通信研
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
向原 智一
東京工業大学精密工学研究所
-
渡辺 敏英
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
-
向原 智一
古河電工(株)横浜研究所
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