(311)A面InGaAs/GaAs歪量子井戸面発光レーザの発振特性

概要

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面発光レーザは、二次元アレイ化が可能な光源として、光インターコネクトや光並列情報処理への応用が期待されており、その性能向上には著しいものがある。特に、MBE法やMOCVD法等の結晶成長技術の進展と加工プロセス技術の向上による素子の微細化によって、サブミリアンペアを切るしきい値電流が報告されている。しかしこれらの素子では、通常結晶成長および加工が容易である等の理由から、(100)面方位の半導体基板を用いる。一方、 non-(100)面半導体基板上の量子井戸(QW)が、高利得および光学的異方性を有する等優れた特長を持つことが,理論的に明らかにされ、その物性研究に加えて,面発光レーザへの応用が提案されている。我々は、今回、MBE法を用いて、(311)A面GaAs基板上にInGaAs/GaAs歪み量子井戸・面発光レーザを製作しはじめて室温連続発振を確認した。さらに、(311)面上面発光レーザの特徴である低しきい値動作および安定な偏波制御特性を実験的に明らかにしたので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-03-11