極微構造 InGaAs/GaAs 面発光レーザの低しきい値動作
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概要
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面発光レーザの低消費電力化を目的として,有機金属気相成長(M0CVD)法により製作した面発光レーザの低しきい値電流,電圧動作の実現と熱特性について評価した.MOCVD成長面発光レーザにおいてしきい値電流70μAの動作を確認した.製作したデバイスの熱抵抗の評価より活性層径の微小化に伴い,発熱量が増大することが分かった.今後極微構造化を進める上で,非発光再結合電流の抑制と抵抗の低減が重要な課題であることを示した.また極微化により10μA以下の極低しきい値動作の可能性を示し,面発光レーザが低消費電力デバイスとして将来の光インターコネクション等への応用が期待されることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-17
著者
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
羽鳥 伸明
東京工業大学精密工学研究所
-
向原 智一
東京工業大学精密光学研究所
-
向原 智一
東京工業大学精密工学研究所
-
大軒 紀之
東京工業大学精密工学研究所
-
松谷 晃宏
東京工業大学
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