GaAs/GaAlAs系面発光レーザにおけるAlAs選択酸化プロセスの改良と単一モード発振特性

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概要

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• 本研究は, GaAs/GaAlAs系面発光レーザにおける, AlAs層の酸化狭窄部形成の精密制御を目的とする.製作には電子ビーム露光, 誘導結合型プラズマエッチングを用い, 再酸化による微調整も試みた.また, 製作した素子の単一モード発振特性を調べた.

• 2000-09-25

著者

• 松谷 晃宏

  東京工業大学 精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊賀 健一

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊賀 健一

  東工大精研

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 伊賀 健一

  東京工業大学

• 武内 健一郎

  東京工業大学・精密工学研究所

• 松谷 晃宏

  東京工業大学

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