GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの長波長化に関する検討

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概要

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• 2次元並列光通信や高密度光インターコネクションの実現のために長波長帯面発光レーザの実現が望まれている。前回, 新材料GaInNAs/GaAsによる1.3μm帯面発光レーザを提案し, その特性を見積もった。しかしながら, N導入の困難性や臨界膜厚の影響なとを考慮した長波長化のための量子井戸構造の設計が必要である。今回, 新たな量子井戸構造を提案し, その有効性の検討を行なったので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-03-06

著者

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 高田 剛

  東京工業大学

• 高田 剛

  東京工業大学精密工学研究所

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 竹内 寛爾

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊賀 健一

  東京工業大学精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 伊賀 健一

  東京工業大学

• 宮本 智之

  東京工業大学

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