RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長
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概要
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長波長帯面発光レーザの実現を目的として, 本研究ではGaInNAs/GaAs量子井戸をRFラジカルセルを用いた化学ビーム成長(CBE)法により成長し, 評価を行っている.1.3μm帯GaInNAs系面発光レーザを実現するためには, GaInNAsの結晶性の向上が必須である.今回, GaInNAs/GaAs量子井戸の結晶品質向上のためのいくつかの手法について検討した.RFラジカルセルの条件依存性を調べ, フローコンダクタンスの選択が結晶性に大きく影響することを示し, RFラジカルセルの条件の最適化を行うことで, 波長1.27μmまでのフォトルミネッセンスを得た.また, CBE法で成長したGaInNAs/GaAs量子井戸への熱アニールが結晶性の向上に大きな効果をもたらすことがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-06-16
著者
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
竹内 寛爾
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
影山 健生
東京工業大学精密工学研究所
-
影山 健生
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
宮本 智之
東京工業大学
-
影山 優生
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
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