化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAsの成長と長波長帯面発光レーザへの応用
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概要
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次世代光ネットワークシステムの光源として長波長帯面発光レーザの実現が望まれている. 本研究ではGaINAs/GaAs系材料の適用を検討し, GaInNAs面発光レーザ構造の提案と設計, および, 化学ビーム成長(CBE)法によるGaInNAsの初期的な成長を行なった. InGaAs/GaAs面発光レーザと同様な構造を実現可能であり, 300A/cm^2以下のしきい値電流密度と200Kの特性温度が期待でき, 提案する新構造GaInNAs/GaAs量子井戸により長波長化も容易となる. CBE法によるGa(In)NAsの成長では, NラジカルによるN導入を行ない, 成長した試料よりGaNAsのボーイングパラメータの推定を行なった. また, GaInNAs/GaAs量子井戸においては最長1.2μmまでのフォトルミネッセンスを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-17
著者
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
竹内 寛爾
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
宮本 智之
東京工業大学
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