Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
今回,MOCVD法を用いて,Si基板上へのGaNP層成長及びInAs系量子ドット成長の基礎特性の検討を行った.Si基板上でのGaNP層成長では3次元成長の抑制及び表面ラフネスの低減を目的に二段階成長,GaInPバッファ層成長を行った.またInAs量子ドットの形成特牲把握のために,成長温度依存牲,InAs供給量依存牲,GaNPバッファ層の窒素組成依存性を検討した.
- 2010-11-04
著者
関連論文
- 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-2 金属埋め込み微小メサ構造を用いた面発光レーザの発振特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-28 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの長波長化に関する検討
- 1.3μm GaInNAs/GaAs面発光レーザの構造設計
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-23 数値解析によるトンネル注入SOAの動特性の構造依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明
- 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-29 横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 化学ビーム成長(CBE)法によるGaInAsP/InP結晶成長と面発光レーザへの応用
- ポスター発表報告
- Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- VCSEL技術の現状と課題
- トンネル注入量子井戸レーザにおけるキャリア注入確率と再結合確率の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-2-1 面発光レーザの最近の技術動向
- 「面発光半導体レーザーとその応用」解説小特集に寄せて
- 長波長帯半導体レーザの新しい材料 : 面発光レーザへの展開
- RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長
- 1.2μm帯GaInAs/GaAsレーザを用いた単一モード光ファイバ伝送
- 5-1 面発光レーザとその波長域拡大・高性能化(5.先端半導体レーザの現状と展望,進化する先端フォトニックデバイス)
- GaAs 基板上レーザーの1.3μmを超える長波長化の検討
- GaInAs/GaAs歪量子井戸の波長域拡大と高速光リンク用半導体レーザへの展開
- C-4-16 Well-in-Well構造による高速直接変調量子井戸レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAsの成長と長波長帯面発光レーザへの応用
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明
- C-4-24 WWell活性層レーザの製作とRIN特性の評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-23 Well-in-Well構造を用いたレーザの高速変調動作解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-80 単一材料HCGにおける反射特性(パッシブデバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討
- C-4-5 数値解析によるトンネル注入SOAの利得飽和特性の評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- マイクロマシーニングを用いた温度無依存Add/Dropフィルタの検討
- CI-1-1 キャリア緩和を抑制する直接変調レーザの高速動作設計(CI-1.光デバイス設計の最新動向,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-4-27 半導体光増幅器におけるキャリアの蓄積と遷移の影響解明(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 キャリア緩和制御構造レーザの高微分利得化に関する検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- Well-in-Well量子井戸レーザの動特性に関する検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-71 単一材料HCGにおける入射方向依存性の原理と応用の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- NUSOD2011会議報告(招待講演,半導体レーザ関連技術,及び一般)
- Well-in-Well 量子井戸レーザの動特性に関する検討
- C-4-30 混晶化法を用いた選択酸化構造の制御に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-24 キャリア蓄積型SOAの高速動作条件の理論検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- VCSELの高出力化最新動向
- NUSOD2011会議報告
- C-3-56 微小光スポットに対するHCG反射鏡の特性に関する研究(光フィールド・偏波制御(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 キャリア緩和制御構造多層化に基づく高微分利得化によるVCSELの変調特性の数値解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-34 蓄積層発光遷移抑制による半導体光増幅器の高速化の理論検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)