C-4-6 キャリア緩和制御構造多層化に基づく高微分利得化によるVCSELの変調特性の数値解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-03-05
著者
-
宮本 智之
東京工業大学
-
反町 幹夫
東京工業大学 マイクロシステム研究センター
-
比嘉 康貴
東京工業大学 マイクロシステム研究センター
-
岩崎 創
東京工業大学精密工学研究所
-
鷲見 圭太
東京工業大学精密工学研究所フォトニクス集積システム研究センター
関連論文
- 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-2 金属埋め込み微小メサ構造を用いた面発光レーザの発振特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-28 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの長波長化に関する検討
- 1.3μm GaInNAs/GaAs面発光レーザの構造設計
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-23 数値解析によるトンネル注入SOAの動特性の構造依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明
- 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-29 横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 化学ビーム成長(CBE)法によるGaInAsP/InP結晶成長と面発光レーザへの応用
- ポスター発表報告
- Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- VCSEL技術の現状と課題
- トンネル注入量子井戸レーザにおけるキャリア注入確率と再結合確率の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-2-1 面発光レーザの最近の技術動向
- 「面発光半導体レーザーとその応用」解説小特集に寄せて
- 長波長帯半導体レーザの新しい材料 : 面発光レーザへの展開
- RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長
- 1.2μm帯GaInAs/GaAsレーザを用いた単一モード光ファイバ伝送
- 5-1 面発光レーザとその波長域拡大・高性能化(5.先端半導体レーザの現状と展望,進化する先端フォトニックデバイス)
- GaAs 基板上レーザーの1.3μmを超える長波長化の検討
- GaInAs/GaAs歪量子井戸の波長域拡大と高速光リンク用半導体レーザへの展開
- C-4-16 Well-in-Well構造による高速直接変調量子井戸レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAsの成長と長波長帯面発光レーザへの応用
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明
- C-4-24 WWell活性層レーザの製作とRIN特性の評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-23 Well-in-Well構造を用いたレーザの高速変調動作解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-80 単一材料HCGにおける反射特性(パッシブデバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討
- C-4-5 数値解析によるトンネル注入SOAの利得飽和特性の評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- マイクロマシーニングを用いた温度無依存Add/Dropフィルタの検討
- 招待講演 NUSOD2011会議報告 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- CI-1-1 キャリア緩和を抑制する直接変調レーザの高速動作設計(CI-1.光デバイス設計の最新動向,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-4-27 半導体光増幅器におけるキャリアの蓄積と遷移の影響解明(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 キャリア緩和制御構造レーザの高微分利得化に関する検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- Well-in-Well量子井戸レーザの動特性に関する検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-71 単一材料HCGにおける入射方向依存性の原理と応用の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- NUSOD2011会議報告(招待講演,半導体レーザ関連技術,及び一般)
- Well-in-Well 量子井戸レーザの動特性に関する検討
- C-4-30 混晶化法を用いた選択酸化構造の制御に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-24 キャリア蓄積型SOAの高速動作条件の理論検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- VCSELの高出力化最新動向
- NUSOD2011会議報告
- C-3-56 微小光スポットに対するHCG反射鏡の特性に関する研究(光フィールド・偏波制御(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 キャリア緩和制御構造多層化に基づく高微分利得化によるVCSELの変調特性の数値解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-34 蓄積層発光遷移抑制による半導体光増幅器の高速化の理論検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)