Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
-
C-4-2 金属埋め込み微小メサ構造を用いた面発光レーザの発振特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
-
C-4-28 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
-
GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
-
GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
-
GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
-
GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの長波長化に関する検討
-
1.3μm GaInNAs/GaAs面発光レーザの構造設計
-
メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
-
C-4-23 数値解析によるトンネル注入SOAの動特性の構造依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明
-
1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
-
OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
-
OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
-
SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
-
MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
-
メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
-
メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
-
メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
-
C-4-29 横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
-
トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
-
トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
-
化学ビーム成長(CBE)法によるGaInAsP/InP結晶成長と面発光レーザへの応用
-
ポスター発表報告
-
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討(窒化物及び混晶半導体デバイス)
-
VCSEL技術の現状と課題
-
トンネル注入量子井戸レーザにおけるキャリア注入確率と再結合確率の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
-
GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
-
GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
-
SC-2-1 面発光レーザの最近の技術動向
-
「面発光半導体レーザーとその応用」解説小特集に寄せて
-
長波長帯半導体レーザの新しい材料 : 面発光レーザへの展開
-
RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長
-
1.2μm帯GaInAs/GaAsレーザを用いた単一モード光ファイバ伝送
-
5-1 面発光レーザとその波長域拡大・高性能化(5.先端半導体レーザの現状と展望,進化する先端フォトニックデバイス)
-
GaAs 基板上レーザーの1.3μmを超える長波長化の検討
-
GaInAs/GaAs歪量子井戸の波長域拡大と高速光リンク用半導体レーザへの展開
-
C-4-16 Well-in-Well構造による高速直接変調量子井戸レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAsの成長と長波長帯面発光レーザへの応用
-
C-4-24 WWell活性層レーザの製作とRIN特性の評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-4-23 Well-in-Well構造を用いたレーザの高速変調動作解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-3-80 単一材料HCGにおける反射特性(パッシブデバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
-
Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討
-
C-4-5 数値解析によるトンネル注入SOAの利得飽和特性の評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
マイクロマシーニングを用いた温度無依存Add/Dropフィルタの検討
-
CI-1-1 キャリア緩和を抑制する直接変調レーザの高速動作設計(CI-1.光デバイス設計の最新動向,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
-
C-4-27 半導体光増幅器におけるキャリアの蓄積と遷移の影響解明(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-4-16 キャリア緩和制御構造レーザの高微分利得化に関する検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
Well-in-Well量子井戸レーザの動特性に関する検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
-
C-3-71 単一材料HCGにおける入射方向依存性の原理と応用の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
-
NUSOD2011会議報告(招待講演,半導体レーザ関連技術,及び一般)
-
Well-in-Well 量子井戸レーザの動特性に関する検討
-
C-4-30 混晶化法を用いた選択酸化構造の制御に関する研究(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-4-24 キャリア蓄積型SOAの高速動作条件の理論検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
-
VCSELの高出力化最新動向
-
NUSOD2011会議報告
-
C-3-56 微小光スポットに対するHCG反射鏡の特性に関する研究(光フィールド・偏波制御(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
-
C-4-6 キャリア緩和制御構造多層化に基づく高微分利得化によるVCSELの変調特性の数値解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
-
C-4-34 蓄積層発光遷移抑制による半導体光増幅器の高速化の理論検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
-
OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
-
OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
-
OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
-
OECC/CLEO-PR2013報告 : アクティブデバイス・モジュール関連(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク