マイクロマシーニングを用いた温度無依存Add/Dropフィルタの検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-07
著者
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
西山 伸彦
Corning Incorporated
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
宮本 智之
東京工業大学
-
古川 則吉
東京工業大学精密工学研究所
-
西山 伸彦
東京工業大学
関連論文
- 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CLEO/QELS'99報告
- C-4-2 金属埋め込み微小メサ構造を用いた面発光レーザの発振特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-28 微小メサ構造を用いた面発光レーザの直接変調特性改善(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討(ナノ光技術・電子技術,次世代ナノテクノロジー論文)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aE05 GaInAs量子ドットへのSb添加効果(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの長波長化に関する検討
- 1.3μm GaInNAs/GaAs面発光レーザの構造設計
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの進展 : 高効率・低しきい値動作と強戻り光耐性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-23 数値解析によるトンネル注入SOAの動特性の構造依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明
- 1.2μm帯GaInAs/GaAs高密度面発光レーザアレイの波長制御(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- C-3-7 BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
- AlAs選択酸化膜形成技術
- 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
- マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-29 横方向量子構造混晶化による面発光レーザの特性向上(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- トンネル注入SOAの数値解析による動作メカニズムとデバイス特性の解明(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 化学ビーム成長(CBE)法によるGaInAsP/InP結晶成長と面発光レーザへの応用
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- InP基板上長波長帯面発光レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]InP基板上長波長帯面発光レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- VCSEL技術の現状と課題
- トンネル注入量子井戸レーザにおけるキャリア注入確率と再結合確率の解析(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaAs上長波長帯レーザのためのGaInAsSb系量子ドットのMBE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- SC-2-1 面発光レーザの最近の技術動向
- 「面発光半導体レーザーとその応用」解説小特集に寄せて
- 長波長帯半導体レーザの新しい材料 : 面発光レーザへの展開
- RFラジカルセルを用いた化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAs量子井戸構造の成長
- 1.2μm帯GaInAs/GaAsレーザを用いた単一モード光ファイバ伝送
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- 1.2μm帯高歪GaInAs/GaAsレーザーと単一モード光ファイバLANへの適用可能性
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- C-4-11 GaAs(311)B基板上低しきい値InGaAs/GaAs面発光レーザ
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- GaInAs/GaAs歪量子井戸の波長域拡大と高速光リンク用半導体レーザへの展開
- MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
- p型デルタドープInGaAs/GaAs量子井戸面発光レーザ
- MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
- p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
- p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
- C-4-16 Well-in-Well構造による高速直接変調量子井戸レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 化学ビーム成長法によるGaInNAs/GaAsの成長と長波長帯面発光レーザへの応用
- 面発光レーザーとマイクロレンズアレイ (特集 第120回記念微小光学研究会 「微小光学30年とこれからの30年」より)
- C-4-24 WWell活性層レーザの製作とRIN特性の評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-23 Well-in-Well構造を用いたレーザの高速変調動作解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-80 単一材料HCGにおける反射特性(パッシブデバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-5 数値解析によるトンネル注入SOAの利得飽和特性の評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- マイクロマシーニングを用いた温度無依存Add/Dropフィルタの検討
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- CI-1-1 キャリア緩和を抑制する直接変調レーザの高速動作設計(CI-1.光デバイス設計の最新動向,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-4-27 半導体光増幅器におけるキャリアの蓄積と遷移の影響解明(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 キャリア緩和制御構造レーザの高微分利得化に関する検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- Well-in-Well量子井戸レーザの動特性に関する検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-71 単一材料HCGにおける入射方向依存性の原理と応用の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- NUSOD2011会議報告(招待講演,半導体レーザ関連技術,及び一般)