p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上

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概要

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• 大規模光インターコネクト用の光源として期待される面発光レーザに, p型デルタドープ量子井戸構造を用いた新構造を提案し, その基礎検討を行った. 減圧有機金属気相成長法により, オートドープ法を用いたカーボンのAIAs層へのドーピング特性を確立した. p型デルタドープ3層量子井戸ストライプレーザを製作し, 最低しきい値電流密度で154A/cm^2(52A/cm^2/well)の値を得た. 面発光レーザに適用することで, 低しきい値化と高速化が期待できる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-07-04

著者

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 伊賀 健一

  東京工業大学精密工学研究所

• 西山 伸彦

  Corning Incorporated

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 伊賀 健一

  東京工業大学

• 羽鳥 伸明

  東京工業大学精密工学研究所

• 水谷 章成

  東京工業大学精密工学研究所

• 西山 伸彦

  東京工業大学

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