西山 伸彦 | 東京工業大学 精密工学研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学
-
西山 伸彦
Corning Incorporated
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所
-
小山 二三夫
東京工業大学
-
伊賀 健一
東京工業大学精密工学研究所
-
伊賀 健一
東京工業大学
-
小山 二三夫
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
品田 聡
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
荒井 昌和
東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学理工学研究科 電気電子工学専攻
-
進藤 隆彦
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
進藤 隆彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
高橋 大佑
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
進藤 隆彦
東京工業大学
-
高橋 大佑
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
羽鳥 伸明
東京工業大学精密工学研究所
-
水谷 章成
東京工業大学精密工学研究所
-
李 承勲
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学大学院電気電子工学専攻:東京工業大学大学院量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
松谷 晃宏
東京工業大学 精密工学研究所
-
松谷 晃宏
東京工業大学
-
田島 典明
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
雨宮 智宏
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
Guo P.
カリフォルニア大学バークレー校
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
田島 典明
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
鈴木 耕一
東京工業大学精密工学研究所
-
Parekh D.
カリフォルニア大学バークレー校
-
Yang W.
カリフォルニア大学バークレー校
-
Chang-Hasnain C.J.
カリフォルニア大学バークレー校
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
-
PAREKH Devang
カリフォルニア大学バークレー校
-
YANG Weijian
カリフォルニア大学バークレー校
-
GUO Peng
カリフォルニア大学バークレー校
-
CHANG-HASNAIN Connie
カリフォルニア大学バークレー校
-
雨宮 智宏
東京工業大学
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
-
玉木 裕介
理化学研究所レーザー物理工学研究室
-
宅間 宏
日本原子力研究所 光量子科学センター
-
小林 孝嘉
東京大学 理学部物理学科
-
関川 太郎
東京大学物性研究所
-
玉木 裕介
慶應義塾大学 理工学研究科
-
吉村 政志
大阪大学 工学研究科
-
五神 真
東京大学大学院 工学系研究科
-
上妻 幹男
東京大学大学院 相関基礎科学系
-
鳥井 寿夫
学習院大学 理学部物理
-
板谷 太郎
電子技術総合研究所 電子デバイス部
-
宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
-
雨宮 智宏
東京大学先端科学技術研究センター
-
丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
伊賀 健一
東工大精研
-
天野 建
東京工業大学精密工学研究所
-
天野 建
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
宮本 智之
東京工業大学
-
Chang-hasnain Connie
カリフォルニア大バークレー校
-
Yang Weijian
カリフォルニア大バークレー校
-
Amemiya Tomohiro
Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan
-
白尾 瑞基
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
近藤 大介
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
伊藤 瞳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
牧野 茂樹
株式会社日立製作所中央研究所
-
内藤 秀幸
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
阪本 真一
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
大竹 守
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
影山 健生
東京工業大学精密工学研究所
-
牧野 茂樹
東京工業大学精密工学研究所
-
安土 宗近
東京工業大学・マイクロシステム研究センター
-
影山 健生
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
米澤 英徳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
米澤 英徳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
-
近藤 大介
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
白尾 瑞基
東京工業大学電気電子工学専攻
-
影山 優生
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
安土 宗近
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
-
牧野 茂樹
東京工業大学 精密工学研究所
-
近藤 大介
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
伊藤 瞳
東京工業大学電気電子工学専攻
-
白尾 端基
東京工業大学電気電子工学専攻
-
白尾 瑞基
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
白尾 瑞基
東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻
-
小林 孝嘉
東京大学理学系研究科
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
大山 将也
横河電機株式会社技術開発本部
-
吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
蒲原 敦彦
横河電機株式会社
-
手塚 信一郎
横河電機株式会社
-
後藤 顕也
東海大学開発工学部情報通信工学科
-
平田 隆昭
横河電機(株)
-
蒲原 敦彦
横河電機(株)
-
藤村 直之
横河電機(株)
-
矢野 哲夫
横河電機(株)
-
手塚 信一郎
横河電機(株)
-
齊藤 裕己
横河電機(株)
-
野田 隆一郎
横河電機(株)
-
渡辺 哲也
横河電機株式会社
-
鳥井 寿夫
学習院大理学部平野研究室
-
香野 花沙鈴
Corning Incorporated
-
横山 亮
東京工業大学物理電子システム創造専攻
-
黒川 宗高
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
近藤 崇
東京工業大学
-
高橋 孝志
(株)リコー研究開発本部中央研究所
-
板谷 太郎
電子技術総合研究所
-
西山 伸彦
東京工業大学大学院理工学研究科
-
渥美 裕樹
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
井上 敬太
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
黒川 宗高
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
-
Matsutani A.
東京工業大学 精密工学研究所
-
佐藤 俊一
(株)リコー 研究開発本部中央研究所
-
軸谷 直人
(株)リコー 研究開発本部中央研究所
-
李 承勲
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
軸谷 直人
(株)リコー研究開発本部中央研究所
-
渡辺 哲也
横河電機(株)
-
後藤 顕也
東海大
-
Asada Masahiro
The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te
-
ウラ サイド・マムド
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
デイビス カイル・スペンサー
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
佐藤 俊一
(株)リコー研究開発本部中央研究所
-
沼尻 祐貴
東京工業大学電気電子工学専攻
-
石 鐘恩
Corning Incorporated
-
矢野 哲夫
横河電機株式会社技術開発本部
-
齊藤 裕己
横河電機株式会社技術開発本部
-
野田 隆一郎
横河電機株式会社技術開発本部
-
藤村 直之
横河電機株式会社技術開発本部
-
平田 隆昭
横河電機株式会社技術開発本部
-
鳥井 寿夫
学習院大学 理学部
-
上妻 幹男
東大院総合久我研究室
-
宅間 宏
日本原子力研究所
-
本村 典哉
東京工業大学精密工学研究所
-
信野 圭祐
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
信野 圭祐
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
信野 圭祐
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
荒井 滋久
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻:東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
信野 圭祐
東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻
-
佐藤 俊一
(株)リコー 研究開発本部 東北研究所
-
軸谷 直人
(株)リコー 研究開発本部 東北研究所
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
渥美 裕樹
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)
著作論文
- CLEO/QELS'99報告
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
- C-3-7 BCB埋め込みSiスロット導波路構造を用いた温度無依存波長フィルタ(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
- 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
- マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- C-4-13 近接場光生成のための金属微小開口面発光レーザの製作
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-29 光注入同期による活性層分離型分布反射型レーザの変調帯域増大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPべースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-4-34 細線状活性層を有する分布反射型レーザの反射戻り光耐性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-29 細線状活性層を有する分布反射型レーザの直接変調特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 50nm位相連続波長掃引可能なSi-MEMS可動ミラーを用いたInP系波長可変面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CI-2-4 シリコン基板上半導体レーザ・発光デバイスの現状(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-27 InP系長波長帯面発光レーザの現状(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- 金属微小開口をもつ面発光レーザの近接場解析
- C-4-11 GaAs(311)B基板上低しきい値InGaAs/GaAs面発光レーザ
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- 傾斜基板上面発光レーザの高速変調時の偏波特性
- MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
- p型デルタドープInGaAs/GaAs量子井戸面発光レーザ
- MOCVDによるGaAs(311)B基板上低しきい値偏波制御面発光レーザ
- p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
- p形カーボンデルタドーピングを用いたInGaAs/GaAs歪み量子井戸レーザの性能向上
- C-4-17 細線状活性層を有する分布反射型レーザの変調帯域拡大と10Gbit/s低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-6 多層光回路構造実現のための異種基板積層技術とデバイス特性(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 : 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性
- 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期