軸谷 直人 | (株)リコー 研究開発本部中央研究所

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概要

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• 軸谷 直人

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• 佐藤 俊一

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• 佐藤 俊一

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

• 軸谷 直人

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

• 原 敬

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• 上西 盛聖

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• 原 敬

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• 上西 盛聖

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

• 原 敬

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• 伊藤 彰浩

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• 庄子 浩義

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• 本村 寛

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

• 原坂 和宏

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

• 菅原 悟

  (株)リコー 研究開発本部 東北研究所

• 伊藤 彰浩

  (株)リコー研究開発本部 東北研究所

• 原坂 和宏

  株式会社リコー研究開発本部東北研究所

• 佐藤 俊一

  (株)リコー 研究開発本部中央研究所

• 高橋 孝志

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 佐藤 史朗

  (株)リコー研究開発本部中央研究所

• 松谷 晃宏

  東京工業大学 精密工学研究所

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所

• 荒井 昌和

  東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター

• 西山 伸彦

  東京工業大学 精密工学研究所

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所

• 宮本 智之

  東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター

• 伊賀 健一

  東京工業大学精密工学研究所

• 西山 伸彦

  Corning Incorporated

• 西山 伸彦

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 伊賀 健一

  東工大精研

• 小山 二三夫

  東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター

• 小山 二三夫

  東京工業大学

• 伊賀 健一

  東京工業大学

• 菅原 悟

  (株)リコー東北研究所

• 宮本 智之

  東京工業大学

• 松谷 晃宏

  東京工業大学

• 西山 伸彦

  東京工業大学

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著作論文

• MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
• MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
• プリンタ用780nm帯40ch光書き込みVCSELアレイ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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